裴广庆
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张艳
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柳祝平
人工晶体学报
使用预先烧结好的多晶原料,在一定比例的N2和CO2混合气氛下,采用提拉法生长出了高质量的铽镓石榴石(TGG)单晶.采用XRD、ICP和热力学计算进行分析,结果表明,晶体生长过程中的挥发机制为Tb3Ga5O12的分解,分解产物为Tb3 GaO6,Ga2O和O2.CO2被Ga2O还原产生O2,抑制了Tb3Ga5O12的分解.TGG单晶的化学分子式存在Tb富集或Ga缺失,为Tb3Ga4.4～4.5O11.1～11.3非化学计量比相.将晶体毛坯加工成φ2.8 mm×10.7 mm的晶棒,消光比测试结果表明镀增透膜后消光比平均可提高18.8 dB.
关键词:
提拉法
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TGG晶体
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挥发机制
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消光比
