冯丽萍
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贾瑞涛
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刘正堂
稀有金属材料与工程
采用第一性原理研究了压力对正交相SrHfO3电子结构的影响.正交相SrHfO3在零压力时的结构参数与已有的实验值和理论计算值一致.当施加的压力小于20 GPa时,正交相SrHfO3的最小间接带隙在Z-Г之间.当施加的压力大于20 GPa时,正交相SrHfO3的最小间接带隙在S-Г之间.随着压力的增加,正交相SrHfO3的态密度向低能量方向移动.电荷密度分析表明,Hf-O之间主要以共价键结合,Sr-O之间主要以离子键结合.随着压力的增加,Hf-O共价键和Sr-O离子键增强,而Sr-HfO3之间的离子交互作用减弱.
关键词:
第一性原理
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电子结构
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SrHfO3
,
压力