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Na/Se掺杂p-型AgSbTe₂化合物热电性能研究

杜保立 , 李涵 , 唐新峰

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00680

采用熔融-淬火-放电等离子烧结方法制备了两种不同掺杂方式的Na单掺和Na/Se共掺p型AgSbTe₂多晶块体材料(Ⅰ: 掺杂元素以过量形式添加AgNa_0.01SbTe₂, AgNa_0.01SbTe₂Se_0.04; Ⅱ: 掺杂元素以置换对应元素形式添加Ag_0.99Na_0.01SbTe₂, Ag_0.99Na_0.01SbTe_1.96Se_0.04). 研究了Na单掺、Na/Se共掺及不同掺杂方式对材料电、热输运性能的影响规律. 通过比较不同掺杂方式样品的电、热传输性能确定了最佳的Na/Se 掺杂方式: Na置换Ag, Se置换Te并结合适当的Se过量加入. 由于Na掺杂对Seebeck 系数的提高及Se掺杂对电导率和热导率的优化, Ag_0.99Na_0.01SbTe_1.96Se_0.04 化合物ZT最大值在620 K达到1.4, 较未掺杂AgSbTe₂化合物提高约17%.

关键词: AgSbTe₂ , thermoelectric property , Se , Na , doping