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原词结果 | 译词结果

沉积温度对高Al含量的Al_xGa_1-xN薄膜的影响

季振国 , 娄垚 , 毛启楠

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00386

沉积参数对MOCVD法生长的Al_xGa_1-xN薄膜性能有很大的影响.利用高分辨XRD, 紫外－可见透射光谱, 原子力显微镜, 扫描电子显微镜和荧光光谱研究了沉积温度对低压MOCVD沉积的高Al含量的Al_xGa_1-xN外延膜缺陷密度以及发光性能的影响. 结果发现, 随着沉积温度的升高, Al_xGa_1-xN薄膜中的螺型位错密度减少, 但是刃型位错密度增加, 因此简单地改变沉积温度并不能降低总的位错密度以及提高薄膜的发光性能. 进一步地分析测试结果表明, 随着沉积温度的升高, Al_xGa_1-xN薄膜内的Al含量增加, 导致禁带宽度增大和发光波长的蓝移, 因此适当提高沉积温度（1000～1050℃）是获得高Al含量Al_xGa_1-xN薄膜的一种有效手段, 但是过高的沉积温度（>1100℃）不利于提高薄膜的发光强度.

关键词: AlGaN , high Al content , MOCVD , epitaxy , deposition temperature

NO和N₂O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响

周婷 , 叶志镇 , 赵炳辉 , 徐伟中 , 朱丽萍

无机材料学报

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N₂O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N₂O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm, 同时样品的空穴浓度最高,为2.17×10¹⁸cm^-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.

关键词: P型ZnO , electronic properties , MOCVD

用MOCVD法在LiGaO₂(001)上生长GaN的研究

杨卫桥 , 干福熹 , 邓佩珍 , 徐军 , 李抒智 , 张荣

无机材料学报

LiGaO₂单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO₂(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO₂(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO₂在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.

关键词: GaN , LiGaO₂ , MOCVD

“类金字塔”状ZnO改善硅异质结电池近红外波段外量子效率

王宁 , 王奉友 , 张晓丹 , 王利果 , 郝秋艳 , 刘彩池 , 赵颖

人工晶体学报

因晶体硅是间接带隙半导体材料,其较低的吸收系数限制了对近红外波段入射光的吸收.为此,引入金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的ZnO薄膜,并通过改变掺杂流量和沉积时间调节ZnO∶ B(BZO)薄膜的光学和电学性能.将BZO薄膜用于硅异质结(SHJ)太阳电池的背反射电极,相比于传统结构,电池的反射率和外部量子效率在近红外波段得到显著改善.为进一步解释外量子效率增加的原因,在四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法制绒的硅衬底上沉积BZO薄膜,得到了新型微纳米嵌套结构,并对其光吸收进行了测试分析.

关键词: ZnO∶B薄膜 , 金属有机化学气相沉积 , 外量子效率 , 异质结太阳电池

MOCVD方法在SrFe12O19表面生长Fe薄膜及其吸波性能

刘渊 , 刘祥萱 , 王煊军 , 陈鑫

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2013.00774

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,以高纯Fe(CO)5和SrFe12O19为原料,高纯N2为载气,在SrFe12O19表面沉积连续Fe膜,从而制得Fe-SrFe12O19复合材料.用XRD,SEM,EDS和矢量网络分析仪对粉末的结构及电磁性能进行表征并对其吸波性能进行研究.结果表明,SrFe12O19表面沉积的膜层为纯α-Fe相,厚度约为0.5 μm,沉积薄膜比较均匀完整地覆盖在SrFe12O19表面.SrFe12O19表面沉积α-Fe膜后,其电磁性能发生明显改变,吸波性能有较好改善.沉积时间30 min时制备的样品有最佳的吸波效果,涂层厚度为1.5～3.0 mm时,最小反射率均低于-19dB,在6.8～18.0 GHz均能实现吸波强度低于-10 dB.随着厚度的增加,反射率峰值先减少后增加,厚度为2.0mm时,达到最小值-21.2 dB.

关键词: 羰基铁 , 金属有机化学气相沉积 , 电磁 , 微波吸收

双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ)的制备及成膜性能

蔡宏中 , 易健宏 , 胡昌义 , 常桥稳 , 魏燕 , 郑旭 , 刘伟平 , 陈力

稀有金属材料与工程

以二氯化钯和2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮为原料,在甲醇中合成了一种新的β二酮前驱体-双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ).通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱及单晶X射线衍射等技术对合成的前驱体进行了结构表征.热重-差热分析表明,在N2气氛中,当温度升到291℃时,前驱体基本挥发完全.采用合成的前驱体通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在石英上沉积制备钯薄膜,利用XRD和AFM分析手段对薄膜的结构和表面形貌进行了表征.结果表明,所得到的薄膜纯净,无其他杂质存在,薄膜表面连续、致密.

关键词: 双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钯(Ⅱ) , 钯薄膜 , MOCVD

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