朱兴文
,
李勇强
,
陆液
,
李英伟
,
夏义本
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00359
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜, 研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律. 结果表明, 399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起; 与[002]取向的薄膜相比, 未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大, 且出现了380nm附近的带边发射(NBE) 峰; 在560～580℃热处理下, 其晶胞变小、光学带隙变窄、360nm 左右的带间发光峰红移; 当热处理温度升至610℃时, 薄膜中再次出现380nm的NBE峰.
关键词:
ZnO薄膜
,
Li dopant
,
[101] orientation
,
photoluminescence
