黄帅
,
李晨辉
,
孙宜华
,
柯文明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00064
采用陶瓷靶直流磁控溅射, 以玻璃为基底制备2.5wt% Nb掺杂TiO2薄膜, 控制薄膜厚度在300~350 nm, 研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性. XRD分析表明, 基底温度为150℃、250℃和350℃时, 薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构. 基底温度250℃时, 锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大, 约为 32 nm. 薄膜表面形貌的SEM分析显示, 薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善. 薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%, 随基底温度升高至350℃, 平均透过率下降为59%, 金红石相的存在不利于可见光透过. Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化. 基底温度为250℃时, 锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大, 为3.78 eV.
关键词:
基底温度
,
TiO2
,
DC magnetron sputtering
,
ceramic target
,
structure
,
optical properties
魏雄邦
,
吴志明
,
王涛
,
蒋亚东
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00364
采用直流反应磁控溅射法, 在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜. 采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明, 厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的颗粒增大, 晶化增强; 薄膜具有明显的垂直于衬底表面的“柱”状择优生长特征. 对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析, 证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的方阻减小, 方阻温度系数升高, 薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大, 薄膜的金属-半导体相变逐渐趋于明显.
关键词:
氧化钒薄膜
,
glass
,
thickness
,
DC magnetron sputtering
王晓
,
史新伟
,
崔立斌
,
王新昌
,
姚宁
稀有金属材料与工程
使用直流磁控溅射法,通过改变沉积压强在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.通过椭圆光谱法研究了TiO2薄膜的光学性能;利用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射对薄膜的表面形貌和结构进行了表征.结果表明:压强的大小在磁控溅射法制备TiO2薄膜过程中能有效控制其晶粒尺寸、膜厚及薄膜的折射率.压强越大,晶粒尺寸越小,吸收边“蓝移”越明显;薄膜厚度随压强的增大先增加后减小;平均折射率随压强的增大呈下降趋势,消光系数在可见光波段的平均值趋于零.
关键词:
TiO2薄膜
,
椭圆光谱法
,
磁控溅射
,
压强
