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任伟 , 孟庆森 , 陈少平 , 孙政 , 崔教林
稀有金属材料与工程
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物CuGa3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能.XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGa3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 eV.经热电性能测试分析,在717K时CuGa3Te5的ZT值达到最大值0.3.
关键词: 热电性能 , 缺陷化合物 , CuGa3Te5
