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陈卫武 , 邹宗树 , 王天明
金属学报
利用简单的实验设备，特殊的金属丝作触媒，以SiO2和C为原料，利用碳热还原反应生成的SiO和CO，通过CVD（化学气相沉积）的方法快速合成α－SiC晶须用光学显微镜研究了晶须的生长速度，通过TEM研究α-SiC晶须的结构和生长方式讨论了这种方法中α-SiC晶须生长的热力学条件、机理及生长动力学模型
关键词: CVD , CVD method , growth rate , crystalline characteristics , kinetic model. , null
