程华张昕张广城刘汝宏
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体, 用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR--PECVD)方法制备微晶硅薄膜, 研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响。结果表明, 在300℃制备低温微晶硅薄膜, 随着微波功率的增大, 薄膜的沉积速率先增大后减小, 微波功率为600 W时达到最大; 而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势; 使用不同的微波功率, 薄膜的择优取向均为(111)方向。
关键词:
材料合成与加工工艺
,
microcrystalline silicon film
,
Ar-dilution
,
ECR-PECVD
,
microwave power
