金海云
,
王雯
,
高积强
,
乔冠军
,
金志浩
无机材料学报
采用尿素与硼酸的反应, 在850℃氮气氛下, 合成了纳米BN?包裹的AlN粉料, 通过TEM观察, BN粒径为20～30nm. 通过热压烧结制备出纳米h-BN包裹的AlN/BN
复相陶瓷, SEM/TEM观察, h-BN呈细针状, 针长100～400nm, 针宽为30～50nm. 当h-BN含量≥20wt%时, 其硬度显著降低, 提高了材料的可加工性能.
关键词:
可加工
,
AlN
,
nano-sized BN
,
microstructure
卢斌
,
赵桂洁
,
彭虎
,
曾小锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01501
微波烧结(Microwave Sintering)是一种新型、高效的烧结技术, 具有传统烧结技术无可比拟的优越性. 本文在不添加任何烧结助剂的前提下, 采用高纯微米级氮化铝(AlN)粉, 在1700℃/2h的微波低温烧结工艺条件下制备出透明度较高的AlN透明陶瓷. 分析结果表明, 采用微波低温烧结工艺制备的AlN透明陶瓷晶粒尺寸细小(<10μm), 晶粒发育完善且分布均匀, 晶界平直光滑且无第二相分布, 从而证明用微波烧结可以实现AlN透明陶瓷的低温烧结.
关键词:
微波烧结
,
AlN
,
transparent ceramics
,
preparation
王群
,
王文忠
,
高钦
,
沈玉辉
,
陈建峰
无机材料学报
本文分析了以Lanxide技术合成AlN的生长过程，发现AlN晶体生长具有明显的方向性，XRD分析表明：AlN晶体的生长方向为[0001]晶向.反应过程中AlN由基体表面向气氛中不断深入生长，形成了纤维状或称柱状晶体组织.反应初期Mg元素的挥发非常强烈，Mg蒸气参与表面反应，生成一层疏松的复相表层，有利于反应的深入进行.氮化过程中Si元素存在富集现象，造成宏观组织的成份不均匀性.
关键词:
反应
,
alloy
,
reaction
,
growth
颜建新
,
付兵
,
项利
,
仇圣桃
,
齐渊洪
钢铁研究学报
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20130398
针对薄板坯连铸连轧流程结合“获得抑制剂法”所制备的低温高磁感取向硅钢,通过热力学计算研究了AlN与MnS在连铸与均热过程中的析出规律与行为.计算结果表明,连铸过程中AlN在凝固后的高温β相中便可能析出,而MnS仅可能在凝固后的β+γ两相区内析出.钢中AlN与MnS在均热过程中均处于部分固溶与部分析出的状态.后续高温渗氮处理后初次晶粒的异常长大并不明显,表明渗氮处理前钢中固有抑制剂的数量相对充足.
关键词:
高磁感取向硅钢
,
薄板坯
,
AlN
,
MnS
,
析出
Z.J. Zhan
,
X.X. Ma
,
Y. Sun and L.F. Xia School of Materials Science and Engineering
,
Harbin Institute of Technology
,
Harbin 150001
,
China
金属学报(英文版)
Aluminum alloy 2024 has been implanted with nitrogen ions at various doses by plasma based ion implantation (PBII). The introduction of energetic ions caused structural change within the near surface region of the solid. The samples have been characterized by X ray Photoelectron Spectroscopy at various depths. The chemical states of Al and N were identified by deconvolution of the recorded XPS spectra. After plasma based ion implanted nitrogen into aluminum, not only the AlN precipitates but also supersaturated solution of nitrogen formed. The presence of aluminum in different chemical states corresponding to Al, AlN and Al 2O 3. The majority of nitrogen participates in the form of the supersaturated solution. With the increase of nitrogen dose, the amount of AlN precipitates increased.
关键词:
plasma based ion implantation
,
null
,
null
,
null
