董绍明
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陈忠明
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谭寿洪
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江东亮
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郭景坤
无机材料学报
本文研究了高温等静压（HIP）后处理工艺对液相烧结SiC陶瓷的显微结构及力学性能的影响．实验表明，HIP后处理的效果随烧结助剂的不同及液相烧结温度的变化而改变．Ar气氛条件下的HIP后处理可以提高液相烧结SiC的密度，减少或消除内部气孔等结构缺陷，但不引起晶粒的长大．N2条件下的HIP后处理除了具有Ar－HIP后处理的优点外，由于表面SiC与N2之间的反应生成的Si3N4可以有效地改善表面状态，从而达到表面改性，提高SiC陶瓷的力学性能．结构分析表明，经N2-HIP后处理，表面氮化层中晶粒细小，结构致密．同时，HIP后处理的效果还受液相烧结SiC陶瓷显微结构的影响，当液相烧结SiC的烧结温度较低，晶粒较细时，经HIP后处理，尤其是N2-HIP后处理，强度和韧性均有较大幅度的提高．
关键词:
液相烧结
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