曾晟
,
丁爱丽
,
仇萍荪
,
何夕云
,
罗维根
无机材料学报
采用射频磁控溅射工艺，在（111）Pt／Ti／SiO2／Si衬底上用PZT（53／47）陶瓷靶制备铁电薄膜．用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理．薄膜的相结构由XRD确定．通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度，研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响．实验表明，在不同的溅射气氛和衬底温度条件下，薄膜会经历不同的相变过程．用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能，在外加电压为5V时，Pr=14.6μC／cm2，Ec＝82．gkV／cm．
关键词:
射频磁控溅射
,
null
,
null
,
null
周幼华
,
郑启光
,
杨光
,
龙华
,
陆培祥
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01230
采用飞秒脉冲激光沉积系统, 在Si(111)衬底上制备了a轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜. X
射线衍射(XRD)表明:室温(20℃)下沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈c轴择优取向, 晶粒的平均直径为20nm. 在500℃沉积的Bi4Ti3O12/Si(111)薄膜呈a轴择优取向. 测量了薄膜的电滞回线和I-V特性曲线, 并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的I-V特性曲线和铁电性的关联性. a轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC/cm2, 矫顽力Ec=48kV/cm.
关键词:
飞秒
,
pulsed laser deposition
,
Bi4Ti3O12
,
ferroelectric
李金隆
,
李言荣
,
张鹰
,
邓新武
,
刘兴钊
无机材料学报
利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.
关键词:
BST
,
ferroelectric thin films
,
low temperature
,
epitaxial growth
李佳
,
于军
,
彭刚
,
王耘波
,
周文利
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01192
用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12 (BNT)铁电薄膜, 研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响. XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向, 而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向; FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜, 其表面主要是由具有非c轴取向的晶粒组成且更为致密; 直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43.6μC/cm2, 矫顽场强Ec分别为91和80.5kV/cm; 疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性, TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性; 两种薄膜的漏电流密度均在10-6～10-5 A/cm2之间.
关键词:
sol-gel
,
Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12
,
ferroelectric thin film
,
TiO2 seeding layer
