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不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

王波 , 房昌水 , 孙洵 , 王圣来 , 顾庆天 , 李毅平

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01047

过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素. 本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试. 研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷. 实验证明, DKDP晶体可以在的过饱和度下实现快速生长, 但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.

关键词: DKDP晶体 , supersaturation , crystal growth , defect

新型闪烁晶体Ce掺杂焦硅酸钇(YPS:Ce)的闪烁与热释光性能

冯鹤 , 丁栋舟 , 李焕英 , 杨帆 , 陆晟 , 潘尚可 , 陈晓峰 , 张卫东 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00801

通过区熔法获得了铈掺杂焦硅酸钇闪烁单晶(Y2Si2O7:Ce3+, 简写为YPS), 并对其闪烁与热释光性能进行了研究. 对YPS:Ce闪烁晶体的透过、光输出和光衰减等光学和闪烁性能进行了表征, 并对其综合性能进行了评价.其衰减时间为30.16ns, 为目前铈掺杂焦硅酸盐闪烁晶体中最快的. 并采用热释光测试技术, 对YPS:Ce晶体中的缺陷进行了研究, 发现在300~500K温度区间内一共有三个热释光峰, 分别对应于三个缺陷,通过对二维(温度?光强) 的拟合, 确定了这三种缺陷的陷阱深度、振动频率等物理参数. 并结合三维(温度-波长-光强)热释光谱, 提出了YPS:Ce的热释光模型.

关键词: YPS:Ce晶体 , scintillation properties , thermoluminescence , trap

闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

李焕英 , 秦来顺 , 陆晟 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00527

用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体, 讨论了晶体生长过程中的几个问题: (1)熔体挥发; (2)晶体开裂; (3)层状包裹. 生长过程中LPS和SiO2均存在挥发, 其中后者占主导; LPS挥发不会造成组分偏析, 因此对生长过程没有负面的影响. 接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因. 层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄, 熔体容易出现组分过冷, 以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.

关键词: 闪烁晶体 , LPS:Ce crystal , defects , inclusions

类金刚石薄膜的慢正电子分析

程宇航 , 吴一平 , 邹柳娟 , 陈建国 , 乔学亮 , 谢长生 , 翁惠民

无机材料学报

采用射频-直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜,用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布,并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响.实验结果表明,单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度,类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低.且缺陷均匀分布,薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层,而膜一基之间存在一很宽的界面层,界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低,到达薄膜心部后,缺陷浓度趋于稳定.类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜-基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势.薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C2H2含量的升高而单调增大,但C2H2含量对界面层宽度没有影响.

关键词: 类金刚石薄膜 , null , null , null

GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质

高志远段焕淘郝跃李培咸张金凤

材料研究学报

研究了用MOCVD设备在高温和低V/III条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑, 并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错. GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.

关键词: 无机非金属材料 , semiconductor materail , defects , material characterization , surface pit

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

牟其善 , 刘希玲 , 马长勤 , 王绪宁 , 路庆明

无机材料学报

研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义.本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物.讨论了这些缺陷形成的原因。

关键词: KTiOAsO4晶体 , synchrotron radiation topography , defect , ferroelectric domain

三级化学气相沉积法制备SiC纤维的微观组织结构

张荣军 , 杨延清 , 王晨 , 沈文涛 , 罗贤

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01281

以甲基三氯硅烷和乙炔为源气体, 用直流电热三级化学气相沉积法制备了带有碳涂层的钨芯SiC纤维, 利用扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪和透射电子显微镜等方法观察了纤维的微观组织结构. 结果表明, 所制备的SiC纤维由钨芯、W/SiC界面反应层、两层SiC和表面碳涂层组成. 纤维中的SiC主要为beta-SiC, 而且有明显的<111>择优取向, 沉积过程中出现的Si共沉积等缺陷, 导致其晶格紊乱. 拉曼光谱分析表明, 乙炔裂解得到的表面碳涂层由无定型碳和石墨组成.

关键词: SiC纤维 , chemical vapor deposition , microstructure , defects , Raman spectra

BaTiO3基PTCR气敏陶瓷的晶界化学研究

周志刚 , 唐子龙 , 张中太

无机材料学报

陶瓷化学传感器的敏感机制与品界的化学缺陷结构在周围微环境下的变异密切相关.晶粒表面和晶界是空位源,研究陶瓷材料在环境气氛中晶界化学缺陷的变化,对于探索陶瓷材料的敏感机制和开拓新应用具有重要意义.本文就BaTiO3基PTCR陶瓷中本征缺陷的生成和分布,缺陷在高温冻结、吸附和脱附过程中的变化,缺陷的重分布及其对晶界势垒的贡献进行深入的讨论.

关键词: BaTiO3PTCR陶瓷 , grain boundary , defect , CO gas sensor

长余辉(寿命)发光材料研究的最新进展

施朝淑 , 戚泽明

无机材料学报

综述了近几年来长余辉发光材料研究的最新进展,包括三方面:新材料研制,新应用领域的开拓和发光机理研究的模型.材料方面,主要介绍了红光、蓝光研究的进展与获得长余辉发光的关键因素-结构缺陷形成的陷阱态,以及稀土掺杂的作用.为促进新材料的研究着重概述了对长余辉发光机理研究的新进展,除了载流子传输与隧穿效应外,还介绍了两种最新观点;双光子吸收与VK中心模型,并对其存在的问题作了评述.应用方面,除了已有的弱光照明与显示领域外,还在向光电信息功能,特别是二维图像存储,高能粒子射线探测方面发展.

关键词: 长余辉(寿命) , defect , luminescence

LuxY1-xAlO3:Ce晶体的缺陷研究

丁栋舟 , 李焕英 , 秦来顺 , 陆晟 , 潘尚可 , 任国浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01020

通过提拉法制备了LuxY1-xAlO3:Ce晶体样品. 采用偏光显微镜、场发射扫描电镜、电子探针等手段, 并结合热应力分析, 研究了LuxY1-xAlO3:Ce晶体中的开裂、铱金包裹体、气泡、孪晶、解理等宏观缺陷. 结果表明, 不同形态晶体内热应力合力的方向导致不同的开裂面的取位方式, 加强保温、建立适应晶体形态的合适温场等有助于获得完整晶体. 高温熔体及保护气氛中微量氧对铱坩埚的熔蚀与氧化, 使得晶体中存在有铱金包裹体, 降低炉腔内的氧含量、采用高纯度铱金压铸制作坩埚等措施有助于减少晶体内的铱金包裹体. 适当提高熔体温度以降低粘度、降低炉内气压等措施有助于减少晶体中的气体包裹物. 低镥含量LuxY1-xAlO3:Ce晶体中, a、b轴方向的晶胞参数非常接近, 在应力诱导作用下晶格参数互换易导致在<110>方向上形成孪晶.

关键词: 铝酸钇镥晶体 , crystals , defects

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