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强流脉冲电子束作用下单晶硅表层缺陷与结构变化

王雪涛 , 关庆丰 , 顾倩倩 , 彭冬晋 , 李艳 , 陈波

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01313

为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态, 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理, 并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析. 实验结果表明, HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构, 互相平行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构; 同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷, 幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因. 此外, HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非晶混合结构.

关键词: 强流脉冲电子束 , single-crystal silicon , structure defects , vacancy clusters

新型闪烁体的辐照效应

刘波 , 施朝淑1 , 2 , 3 , 周东方

无机材料学报

介绍了新型闪烁体辐照效应的研究进展．高能物理实验中使用的闪烁晶体（如ＰＷＯ、ＧＳＯ：Ｃｅ、ＣｅＦ_３等）用于强辐照环境，要求高辐照硬度．闪烁体在辐照后可能产生的变化主要有：色心的形成、光输出改变、光输出均匀性的损伤、输出噪声增加、闪烁机制的变化．辐照效应的产生主要是晶体的缺陷所致，提高闪烁体辐照硬度的主要方法有退火、漂白、掺杂、控制晶体生长条件等，本文对此均作了较系统的综述．同时也简介了研究辐照效应的实验方法：光谱分析法、热释光法、电子顺磁共振法、正电子湮没技术．

关键词: 新型闪烁体 , irradiation effect , structure defects , color centers

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