刘岩
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黄政仁
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董绍明
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姚秀敏
,
江东亮
无机材料学报
将用于制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料烘干、制粉、干压、烧结,从而探讨浆料的成分与 烧结性能的关系.样品的抗弯强度与烧结助剂的含量之间存在最佳搭配关系,烧结对强度的贡 献主要来自于新相莫来石的生成和玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用.同种成分的样品开 气孔率随着烧结温度的升高表现出单调下降的趋势,而抗弯强度与开气孔率的变化并没有表现 出完全相反趋势;不同成分样品的耐火度均保持在1730℃没有变化.采用最佳配方的浆料和 最佳烧结温度制备的碳化硅泡沫陶瓷抗弯强度可达到0.72MPa.
关键词:
泡沫陶瓷
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silicon carbide
,
slurry
,
sintering performance
王宏志
,
高濂
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陈红光
,
归林华
,
郭景坤
无机材料学报
本文从烧结温度、基体晶粒大小、断裂方式、SiC在基体中的分布等几个方面研究了纳米SiC颗粒的加入对Al2O3微观结构的影响．用非均相沉淀工艺制备的纳米SiC-Al2O3复合粉体，具有Al2O3颗粒包裹纳米SiC的特点，提高了烧结温度，明显使Al2O3晶粒变小，并且抑制晶粒异常长大，试样的断裂方式从以沿晶断裂为主转变到以穿晶断裂为主．SiC在Al2O3中分布均匀，大部分位于晶粒内，少部分位于晶界上．这种微观结构有利于力学性能的提高．
关键词:
氧化铝
,
null
,
null
,
null
卢翠英
,
成来飞
,
张立同
,
徐永东
,
赵春年
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01189
根据吉布斯自由能最小原理, 采用FACTSAGE计算软件, 重点对MTS/H2体系化学气相沉积碳化硅进行了均相平衡计算,评价了体系中主要化合物对沉积碳化硅的作用. 结果表明,低温和高压下, SiCl4和CH4的含量最多, 不饱和物质和自由基的含量非常少, 温度的升高和压力的下降可显著提高不饱和物质和自由基的浓度; 高温和低压下, SiCl2和C2H2可能是形成碳和硅的主要先驱体, 其它稳定物质如碳氢化合物、有机硅化合物和硅烷等由于浓度太小和表面反应粘结系数低, 对碳化硅的沉积可以不予考虑; 体系中几乎没有含Si--C和Si--Si键的物质, 说明碳化硅是经过碳和硅独立形成, 二者的相对速率决定了碳硅比.
关键词:
热力学
,
surface reactive sticking coefficient
,
chemical vapor deposition
,
silicon carbide
,
null
朱新文
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江东亮
,
谭寿洪
无机材料学报
采用一种具有三维网状结构和连通气孔的氨酯海绵作为骨架来制备网眼多孔陶瓷．采用一种亲水憎水平衡值（ＨＬＢ）＞１２的表面活性剂溶液对海绵体孔筋表面进行改性处理，改善了海绵与水基浆料之间的粘附性，增加了浆料涂覆量．研究了浆料固含量、有机泡沫体网眼大小、对辊间距和挤压次数对浆量涂覆量及结构均匀性的影响．结果表明：浆料固含量和对辊间距是影响涂覆量及结构均匀性的最主要因素．还发现网眼烧结体的相对密度与相对对辊间距具有很好的线性关系，这为预测和优化材料的渗透率及机械强度提供了一定的依据．
关键词:
多孔陶瓷
,
impregnating process
,
silicon carbide
,
slurry
刘忠良
,
任鹏
,
刘金锋
,
徐彭寿
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00549
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出
薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好.
关键词:
硅碳比
,
SiC
,
Si substrate
,
solid source molecular beam epitaxy
