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等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究

雷明凯 , 袁力 , 张仲麟 , 马腾才

无机材料学报

采用等离子体源离子渗氮,即低能(1-3keV)、超大剂量(1019~1020ions.cm-2)氮离子注入-同步热扩散技术,在300~500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜.俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜.300℃渗氮的薄膜由sp~2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3sp2型复合的微区组成.较高的渗氮工艺温度促进sP3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.

关键词: 等离子体源离子渗氮 , null

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