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硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响

刘卫平 , 余庆选 , 田宇全 , 廖源 , 王冠中 , 方容川

无机材料学报

采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.

关键词: 孪晶 , HFCVD , boron doping diamond films , null

硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响

吕江维 , 冯玉杰 , 彭鸿雁 , 陈玉强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00607

采用直流热阴极CVD法以B(OCH₃)₃为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜，利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响，通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现：在直流热阴极CVD系统中，低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团（H_α、H_β、C₂、CH）的种类没有改变，但C2基团的浓度升高，而CH基团的浓度下降，薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm^-2·h^-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜，晶体生长良好，取向以（111）晶面为主，质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格，没有破坏金刚石晶体结构.

关键词: 金刚石 , hot cathode DC , chemical vapor deposition (CVD) , boron doping

LiFeP_0.95B_0.05O_4-δ/C的制备及电化学性能研究

任兆刚 , 瞿美臻 , 于作龙

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00230

以柠檬酸为螯合剂和碳源, 采用溶胶凝胶法合成了B在P位掺杂的LiFeP_0.95B_0.05O_4-δ/C复合材料. 通过XRD、CV、恒流充放电测试等手段对晶体结构和电化学性能进行研究. 结果表明, 复合材料具有单一的橄榄石型晶体结构, B在P位掺杂可提高材料的导电性能, 降低电极极化, 能有效改善材料的循环性能和高倍率性能. 650℃下合成的LiFeP_0.95B_0.05O_4-δ/C复合材料在0.2、5、10C的首次放电比容量分别为149.3、123.4和112.1mAh/g, 其容量保持率分别为99.3％（0.2C, 20次）、91.65％（5C, 150次）和92.9％（10C, 150次）, 不同倍率下持续充放电30次后, 0.2C放电容量仍能恢复至初始值.

关键词: 锂离子电池 , cathode material , lithium iron phosphate , B-doping

碳纳米管异质结构的 ECR-CVD法制备

王志 , 巴德纯 , 于春宏 , 梁吉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01244

使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD), 以Fe₃O₄纳米粒子为催化剂, 多孔硅为基底, 采用CH₄/H₂和CH₄/B₂H₆/H₂两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构. 扫描电镜(SEM) 和透射电镜(TEM)观察表明: 合成的异质结构一端是类竹节状的掺硼碳纳米管, 另一端是光滑中空的纯碳纳米管. 异质结构采用底端生长模式, 先行生长的掺硼纳米管处于纳米管结构的顶端.

关键词: ECR-CVD , junction , carbon nanotube , boron-dopedenddocument

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