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冲击波合成立方氮化硅的烧结稳定性研究

姚怀 , 徐巧玉 , 齐鑫 , 唐敬友 , 刘海洋 , 苌清华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00819

以冲击波合成的γ-Si3N4粉体为原料, Y2O3-Al2O3-La2O3体系作烧结助剂, 在5.7GPa、1370~1670K的高温高压条件下, 进行了γ-Si3N4粉体的烧结. 研究了不同烧结温度对γ-Si3N4稳定性、相对密度、力学性能及显微结构的影响. 结果表明: γ-Si3N4在 1420~1670K的条件下, 完全相变为β-Si3N4, 在1370K左右的条件下, 发生部分向β-Si3N4相变. 在5.7GPa, 1370K的条件下, 烧结样品的相对密度与维氏硬度分别为98.83%和21.09GPa.

关键词: 冲击波合成 , high pressure and high temperature , sintering , phase transition , stability

MnFeP0.63Ge0.12Si0.25Bx (x=0, 0.01, 0.02, 0.03)化合物的磁热效应

王冬梅松林王耀辉张伟毕力格特古斯

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00566

对MnFeP0.63Ge0.12Si0.25Bx (x=0, 0.01, 0.02, 0.03, 原子分数)化合物的结构和磁热效应(MCE)进行了研究. XRD分析结果表明:MnFeP0.63Ge0.12Si0.25Bx (x=0, 0.01, 0.02, 0.03)的主相均为Fe2P型六角结构, 空间群为P62m. 随着B含量的增加晶格常数a增大c减小,晶胞体积基本保持不变. 磁性测量表明: 随着B含量由0增加到0.03时, Curie温度(TC)从300 K升到347 K, 热滞分别为20, 17, 11和6 K. 0-1.5 T外磁场下最大磁熵变Δ SM分别为14.83, 11.41, 11.26 和11.8 J/(kg?K).

关键词: 磁热效应 , thermal hysteresis , Curie temperature , phase transition

二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究

吴召平 , 方平安

无机材料学报

利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO薄膜.结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在Al(1120)衬底上能实现VO的二维外延生长.薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关.在Al(1120)衬底上,定向生长的(100)VO在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长.电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO薄膜出现相交,薄膜的电阻率变化达4个数量级.

关键词: 二氧化钒 , null , null , null

Mn掺杂BaTiO3基PTCR陶瓷相变的EPR研究

钱辰 , 李勇 , 唐小锋 , 唐子龙 , 钱劲 , 周志刚

无机材料学报

为了探索利用EPR谱线对PTCR陶瓷的相变及PTC效应的机制研究的可能性,本文对接 Mn的 BaTiO基正温度系数热敏电阻(简称PTCR)陶瓷在 120~450K温度范围内的电子顺磁共振谱进行了研究.得出了 Mn2+离子 EPR信号强度、 因子值和超精细耦合常数|A|值的温度分布,发现EPR参数与PTCR陶瓷相变有明显的对应关系,并给出微观结构上的初步解释.研究表明EPR谱线以及精细结构的分析可以为PTCR陶瓷的相变机制以及PTC效应的机制研究提供新的途径.

关键词: BaTiO3PTCR陶瓷 , phase transition , EPR , Mn2+ signal , g factor , hyperfine splitting constants

Dy α-β Sialon 陶瓷的制备与相变研究

张骋 , 孙维莹 , 严东生

无机材料学报

在Dy-Si-Al-O-N系统相关系的研究基础上,设计了以DyAG和M’相作为晶界相的单相α-Sialon和β-Sialon以及复相α-β-Sialon材料.研究了它们的致密化行为,热处理过程中的α’→β’相变机制以及力学性能.结果表明:可以制备出以DyAG和M’相作为晶界相的单相α-Sialon和β-Sialon以及复相α-β-Sialon材料.作为烧结助剂,DyAG比M’更能有效地促进致密化.Dy-α’较之其他的含Dy的物相更易于形成,因此烧结样品的α’相含量比设计值高.通过热处理,使α’→β’转变发生,可以达到设计的α’/α’+β’值.

关键词: Dy , null , null , null

{110}cub切型Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3单晶铁电相变的研究

郭益平 , 罗豪甦 , 曹虎 , 徐海清 , 殷之文

无机材料学报

测试了PMNT68/32{110}cub切型单晶的介电、压电性能和电滞回线,发现单晶铁电性能与所施加的极化电场及单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.研究结果表明,相结构的变化是引起铁电性能变化的主要原因,即在<110>取向施加电场诱导出来的正交相是本征亚稳的,它的稳定性不仅取决于所施加的极化电场大小,而且与单晶中PbTiO3含量的变化密切相关.

关键词: PMNT单晶 , phase transition , piezoelectricity , dielectrics

PMN-PT单晶与陶瓷在性能及相变方面的特点

王评初 , 罗豪甦 , 李东林 , 潘晓明 , 陈辛尘 , 殷之文

无机材料学报

着重介绍了用Bridgman方法生长的(1-)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO(PMN-PT)固溶体单晶在介电、压电、热释电性能及相变方面的一些特点:①异常高的压电常数33(高达3000pC/N以上),耦合系数(在0.6以上),33(达0.90),高的介电常数(高达5000甚至更高),低的值(约60),热释电系数也较高.②强烈的各向异性.③随着PT含量的增加,系统的弛豫行为逐渐减弱,在~0.33时,材料在室温下成为正常铁电体,但PE-FE相变并非正常铁电相变,表现为在时; ε~关系不遵守居里-外斯定律,而是遵守Smolenskii的关系.该相变也明显地与弥散相变不同.这种行为可用无规场的观点加以解释. 对PMN-PT陶瓷,其压电性能与最好的软性PZT相似,而ε和31略大.

关键词: 铌镁酸铅 , piezoelectric property , relaxor , null

真空气氛下非晶硅碳氮(SiCN)陶瓷的高温晶化行为

夏熠 , 乔生儒 , 王强强 , 张程煜 , 韩栋 , 李玫

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00827

以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷. 借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300~1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程. 非晶SiCN陶瓷在低于1300℃开始发生分解,形成富Si-C区域,并最终发生β-SiC结晶. 其结晶度随热处理温度的升高而愈加明显.在1700℃处理时发生β-SiC→α-SiC相变. 分解形成的N-难以与Si-结合形成富Si-N区域,最终以N2形式溢出,在整个热处理温度范围没有出现氮气下热处理时存在的Si3N4结晶.

关键词: 非晶SiCN陶瓷 , crystallization , phase transition , microstructure

单晶多孔α-Fe2O3纳米棒的制备及其催化性能

张怡 , 徐刚 , 欧平 , 韩高荣

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00459

以Fe(NO)3·9H2 O和KOH为原料, 在100℃下水热反应6h制备了α-FeOOH纳米棒, 并在不同温度下对其进行热处理, 得到具有一维纳米孔结构的α-Fe2O3单晶. 用XRD和TEM对α-FeOOH和热处理产物α-Fe2O3的物相、形貌进行表征, 并结合TGA和FT-IR研究了α-FeOOH的热处理过程. 结果表明, α-FeOOH在239~295℃温度区间发生脱水相变α-FeOOH→α-Fe2O3. 纳米α-Fe2O3很好地保持棒状, 但在其表面出现了孔洞, 随着温度的升高孔洞趋于愈合. 采用DTA考察了α-Fe2O3纳米棒对高氯酸铵(AP)的催化作用. 不同温度下热处理得到的α-Fe2O3均使AP的高温分解温度显著降低, 其中350℃热处理得到的α-Fe2O3纳米棒使AP高温分解温度最大降幅达71.4℃.

关键词: 热处理 , phase transition , ammonium perchlorate , catalytic performance

Ni75AlxV25-x合金DO22到L12相变过程异相界面的结构及其迁移特征

张明义陈铮王永欣卢艳丽张静范晓丽

金属学报

本文基于微观相场模型模拟了Ni75AlxV25-x(x=4.2, 5.0)合金中DO22(Ni3V)到L12 (Ni3Al)相变过程. 结合微观组织原子图像演化和界面处原子占位几率演化, 研究了异相间有序畴界的结构及其迁移特征, 提出了DO22 到L12相变过程的机制. 研究表明, L12与DO22相间存在5种界面, DO22 到L12相变过程中,  除了界面(002)D//(001)L之外, 其他4种界面都可以迁移; 在界面迁移过程中, 界面(100)D//(200)L和界面(100)D//(200)L?1/2[001]在迁移前后, 界面结构保持不变, 而界面(002)D//(002)L?1/2[100]迁移后形成界面(002)D//(002)L, 两者交替出现; 相变过程中, 界面迁移总是沿着最优化的路径进行原子跃迁和替换, 遵循跃迁原子数目最少、跃迁路径最短原则.

关键词: Ni75AlxV25-x合金 , phase transformation , odered domain interface , interface migration , microscopic phase–field

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