杜玉成
,
颜晶
,
孟琪
,
李扬
,
戴洪兴
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01031
以硅藻土为基核采用共沉淀法, 制备Sb-SnO2包覆前驱体, 通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料. Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小, 进而影响产物导阻率. 采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET、FT-IR对样品进行了表征, 采用四探针仪测试样品导电性能. 当n(Sn)/n(Sb)=8/1、包覆率为25.8%、700℃焙烧样品电阻率最低为22 Ω.cm, 并具有介孔结构, 孔径为6 nm.
关键词:
硅藻土
,
porous structure
,
Sb-SnO2 coating
,
conductivity
,
resistivity
邱海鹏
,
宋永忠
,
史景利
,
翟更太
,
刘朗
无机材料学报
用煅烧石油焦作填料,煤沥青作粘结剂,钛粉和硅粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列双组元掺杂再结晶石墨.考察了不同质量配比的添加剂对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化.实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂15wt％钛粉再结晶石墨的传导以及力学性能有较大幅度的提高.在掺杂钛粉15wt％、硅粉<2wt％时,双组元再结晶石墨的常温热导率随着硅粉的掺杂量的增加有所提高.当掺杂钛粉及硅粉分别为15wt％和2wt％时,再结晶石墨RG-TiSi-152的常温热导率可达494W/m·K.但是当掺杂钛粉15wt％、硅粉>2wt％时,随着硅粉的继续增加,再结晶石墨的常温热导率反而降低.而双组元掺杂钛硅再结晶石墨的导电以及力学性能却随着硅粉的掺杂量的增加而降低.XRD分析表明,对于双组元掺杂钛硅再结晶石墨而言,钛元素最终在材料中以碳化钛形式存在,而硅元素则大都以气态形式被逸出,XRD物相图谱中未发现硅及其碳化物的存在.材料RG-TiSi-152的微晶尺寸La以及晶面层间距d002分别为864和0.3355nm.
关键词:
热导率
,
electrical resistivity
,
doped titanium and silicon
,
recrystallized graphite
张东炎
,
张惠敏
,
靳先静
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01008
采用共沉淀法,以NH4HCO3为沉淀剂制备了Co0.8Mn0.8Ni0.9Fe0.5O4 负温度系数(NTC)热敏电阻纳米粉体材料, 研究了不同预烧温度对材料相结构的影响, 探讨了不同烧结工艺对NTC热敏电阻材料微观结构和热敏性能的影响. 采用X射线衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、红外(FT-IR)、扫描电子显微技术(SEM)和激光粒度分析仪对制备的样品进行了表征. 结果表明, 750℃预烧后的粉体为纯尖晶石相, 晶粒粒度为32.1nm, 颗粒粒径在50～100nm范围内. 通过对不同烧结程序的对比研究发现, 当烧结程序为：840℃、1200℃各保温2h, 升降温速率为1℃/min时, 样品电学性能较好：ρ25℃=1183Ω·cm, B25/50=3034K. 分析表明, 该烧结程序能有效改善热敏电阻材料的微观结构和热敏性能. 根据ln ρ-1/T曲线斜率计算了经不同工艺烧结后热敏电阻材料的激活能在0.26eV左右.
关键词:
NTC热敏电阻
,
nano-powders
,
co-precipitation
,
resisitivity
蒋晓娜
,
兰中文
,
余忠
,
庄亚明
,
刘培元
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00077
按组成Li0.35Zn0.30Fe2.29MnxO4-δ+0.005mol%Bi2O3和Li0.35Zn0.30Fe2.29O4-δ+0.005mol%Bi2O3+x/3mol%Mn3O4(x=0.02~0.08) 在920和950℃制备缺铁LiZn铁氧体,分别在原料和预烧料中添加Mn3O4. 结果表明：920℃烧结时, 在原料中添加适量Mn3O4可提高样品饱和磁化强度Ms和剩磁Br, 降低矫顽力Hc, 而在预烧料中添加Mn3O4对Ms和Br影响不大, 不完全固相反应导致两种样品Hc很高, 但在原料中添加Mn3O4的样品Hc相对较低. 950℃烧结时, 两组样品Hc均大幅下降, 但在原料中添加Mn3O4的样品Hc反而相对较高. 两种方式添加Mn3O4均可提高电阻率ρ, x=0.06时ρ出现峰值, 且在原料中添加Mn3O4的样品ρ较高.
关键词:
LiZn铁氧体
,
Mn3O4
,
magnetic property
,
microstructure
,
resistivity
张金钰张欣牛佳佳刘刚张国君孙军
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00246
利用纳米压痕实验以及四探针法, 系统研究了相同层厚Cu/X(X=Cr, Nb)纳米金属多层膜的力学性能(强/硬度)和电学性能(电阻率)的尺度依赖性. 微观分析表明: Cu/X(多层膜调制结构清晰, Cu层沿{111}面择优生长, X(层沿{110}面择优生长.纳米压入结果表明, Cu/X(多层膜的强度依赖于调制周期, 并随调制周期的减小而增加. 多层膜变形机制在临界调制周期(λc≈25 nm)由Cu层内单根位错滑移转变为位错切割界面. 多层膜的电阻率不仅与表面/界面以及晶界散射相关, 而且在小尺度下受界面条件显著影响. 通过修正的FS-MS模型可以量化界面效应对多层膜电阻率的影响. Cu/$X$纳米多层膜可以通过调控微观结构实现强度-电导率的合理匹配.
关键词:
Cu/Cr
,
Cu/Nb
,
nanostructured multilayer
,
strength
,
resistivity
,
size effect
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
赵永年
无机材料学报
研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.
关键词:
TiO2薄膜
,
conductivity
,
resistivity
,
transfer of electrons
顾大国
,
李国荣
,
郑嘹赢
,
曾江涛
,
丁爱丽
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00626
采用固相法制备了Mn改性的CaBi4Ti4O15(CBT+x mol% MnCO3)层状压电陶瓷. 介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近, 并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰. Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗, 剩余极化轻微降低, 室温介电常数从173减小到162, 同时机械品质因子由2700增加到4400, 显示了硬性掺杂的效果. 在100~600℃范围内, x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上, 500℃的电阻率提高了约2个数量级(108Ω·cm), 电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段, 压电系数d33由7提高到14.5. 实验结果表明, Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景.
关键词:
压电陶瓷
,
Mn-modified
,
resistivity
,
CaBi4Ti4O15
胡晓君
,
李荣斌
,
沈荷生
,
戴永兵
,
何贤昶
无机材料学报
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低。FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少。EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率。
关键词:
金刚石薄膜
,
co-doping
,
n-type
,
resistivity
吴南春
,
夏义本
,
谭寿洪
,
刘健敏
,
苏青峰
,
王林军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00381
采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
关键词:
纳米金刚石薄膜
,
preferential orientation
,
morphology
,
electrical properties
