何建平
,
吕文中
,
汪小红
,
王雨
,
胡永明
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00683
采用常规固相反应法制备了Ba1-xSrxTiO3(x=0.7, 0.4, 0.1)陶瓷, 利用扫描力显微镜的压电响应模式得到了压电响应像, 并观察到了外加直流电压时的电畴诱导和极化反转. 在10V电压下(样品厚90μm, 下同), 室温时顺电体Ba0.6Sr0.4TiO3中诱导出了铁电畴, 而顺电体Ba0.3Sr0.7TiO3中并未诱导出铁电畴. 12V和–12V电压下, Ba0.9Sr0.1TiO3中的电畴发生了明显的极化反转. 对x=0.4、0.1的样品使用透射电子显微镜进行观察, 发现室温下前者无电畴, 进一步验证了压电响应图像的结果; 后者有电畴, 且为鱼刺状的畴结构. 同时对顺电相Ba1-xSrxTiO3材料中非线性介电特性的起源进行了探讨.
关键词:
钛酸锶钡
,
piezoresponse force microscopy
,
domain
,
polarization switching
朱志刚
,
李宝山
,
李国荣
,
郑嘹赢
,
殷庆瑞
无机材料学报
运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形貌由鱼刺型过渡到微米级的带状畴,最后转变为波浪状的电畴.EDS表明在材料的晶界处含有纳米级的SiO2和PbSiO3,并且发现单斜晶系的孪晶ZrO2在晶界附近析出.本文对孪晶ZrO2的析出及其析出量随着硅离子含量增加而增加的原因作了解释,最后对材料压电性能的降低进行了探讨.
关键词:
锑锰锆钛酸铅
,
TEM
,
piezoelectric
,
domain structure