李华平
,
柴广跃
,
彭文达
,
阳英
,
高敏
,
郭宝平
,
牛憨笨
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00114
通过实验和模拟拟合, 对微弧氧化过程中Al2O3膜表面的对流散热系数作了估计, 实验过程中发现Al2O3/Al界面在微观上也是一个冷却界面, Al 基体在冷却过程中起“热量中转”的作用, 熔池在淬冷过程中的大部分热量经过了邻近区域的Al2O3膜或者铝基体. 通过热模拟得到的纵深各点温度-时间曲线来表征微熔区的淬冷过程. 通过对各节点的相对冷却速度比较, 阐述了淬冷过程对α-Al2O3分布和Al2O3膜表面形貌的影响, 压力因素在微观结构形成过程中所产生的影响作了粗略的分析.
关键词:
铝合金
,
microarc oxidation
,
quenching
,
microstructure
,
FEM
常旭
,
唐春安
,
张后全
,
张永彬
,
张亚芳
无机材料学报
基于多层梁模型,在考虑材料非均匀性的基础上,采用有限元数值模拟的方法研究 了层状复合陶瓷的断裂行为.给出了复合陶瓷模型在三点弯曲的加载条件下,裂纹拐折和扩展 的过程,验证了层状复合陶瓷的主要增韧机理:裂纹沿软层界面拐折耗能.在此基础上,研究 了不同参数条件下,层状复合陶瓷韧性的变化规律.
关键词:
层状复合陶瓷
,
toughening
,
FEM
,
numerical simulation
刘熙
,
陈博源
,
陈之战
,
宋力昕
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00177
生长准备中不同的装料方式导致原料的空隙率不同. 在其它生长工艺参数保持一致的前提下研究了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)对SiC晶体生长初期生长速率和结晶质量的影响. 实验发现,在晶体生长初期生长速率随原料空隙率的增大而升高, 过快的结晶速率导致晶体的结晶质量下降. 同时利用有限元方法模拟了不同空隙率的原料(50%、55%、60%)在生长初期内部温度场分布、质量输运以及晶体生长速度. 因为在生长温度下原料内的热量传输主要依靠SiC颗粒间的热辐射, 所以空隙率增大会导致其等效热导率增大. 模拟结果表明:60%空隙率的原料最短时间内达到稳态传热, 初期晶体生长速率最大. 模拟的结果合理地解释了原料空隙率对SiC晶体生长初期的影响规律.
关键词:
碳化硅
,
growth rate
,
finite element method