夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体, 晶体毛坯尺寸达直径20mm×90mm, 选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品. 从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性. 实验结果显示: 晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大, 表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小, 这是由于晶体内缺陷密度发生了改变, 且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡, 进而导致晶体的近红外吸收产生差异. 理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷和受主缺陷的吸收光谱. 计算结果表明: 受主缺陷对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷.
关键词:
磷化锗锌
,
near infrared absorption
,
defects density
,
donor defects
,
acceptor defects
朱崇强
,
杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
马天慧
,
吕维强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01089
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料. 晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展. 本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况. 首先, 利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷V0P和Ge+Zn, 其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.02±0.03)eV, E(V0P)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV. 对晶体作了电子照射及高温退火等处理后, 又分别发现了两种缺陷V 3-Ge和VPi. 其次, 利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致, 但由于理论模拟与实际情况还存在差距, 有些计算结果与实验结果相矛盾. 因此, 将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
关键词:
ZnGeP2晶体
,
electron paramagnetic resonance
,
acceptors
,
donors
,
density