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铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

饶瑞 , 徐重阳 , 孙国才 , 王长安 , 曾祥斌

无机材料学报

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜，并光刻形成铝膜图形，而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法，研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程，结果表明；在５６０℃退火６ｈ后；铝膜下的非晶硅已完全晶化，确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．

关键词: 金属诱导晶化 , low temperature , amorphous silicon film , polycrystalline silicon film

石英衬底上柱状多晶硅薄膜的制备

张丽伟 , 周伶俐 , 李瑞 , 李红菊 , 卢景霄

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00369

利用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在已经预沉积有非晶硅薄膜的石英衬底上低温沉积了N/I非晶硅薄膜, 对样品进行了两步快速光热(RTP)退火. 采用 Raman、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试仪器对样品退火前后的结晶状况和微观形貌进行了分析. 结果表明, 该N/I非晶硅薄膜退火后的晶化率达到了94%左右, 断面形貌为柱状结构, 样品中的平均晶粒尺寸约30nm, 晶粒团簇的尺寸最大约1.5μm.

关键词: 快速光热退火 , columnar grain , poly-Si thin film , poly-Si thin film solar cells

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