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付伟佳 , 刘志文 , 谷建峰 , 刘明 , 张庆瑜
无机材料学报 doi:10.3724/SP.J1077.2009.00602
利用反应射频磁控溅射技术，通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜，探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响. 研究结果表明，在-100V的偏压下，随着沉积时间的增加，ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小，密度逐渐变大. ZnO在基片表面成核过程中的本征缺陷成核阶段和轰击缺陷成核阶段的生长指数分别为(0.45±0.03)和(0.22±0.04)，低速率成核过程基本消失；随着偏压增大，表面岛的尺寸变大，表面起伏增加. 偏压不但可以改变ZnO薄膜的成核和生长过程，而且影响薄膜的晶体取向.
关键词: ZnO薄膜 , reactive radio-frequency magnetron sputtering , bias , morphological analysis
伍建新 , 庄志强
无机材料学报
测量了３ｍｏｌ％Ｂａ掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５弛豫铁电陶瓷的电滞回线、横向场诱应变、偏压下的介电常数和压电常数，并根据电滞回线和场诱应变曲线的斜率计算了动态介电常数和压电常数．实验表明，电场＜８ｋＶ／ｃｍ时，动态介电常数比偏压介电常数大很多，电场＞８ｋＶ／ｃｍ时，差值随电场增大而减小;电场在３～１５ｋＶ／ｃｍ之间时，动态压电常数比偏压压电常数大很多，电场＜３ｋＶ／ｃｍ及＞１５ｋＶ／ｃｍ时,动态压电常数和偏压压电常数相差不大．
关键词: 介电 , piezoelectric , dynamic , DC bias , relaxor ferroelectric ceramic
