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铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

饶瑞 , 徐重阳 , 孙国才 , 王长安 , 曾祥斌

无机材料学报

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜，并光刻形成铝膜图形，而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法，研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程，结果表明；在５６０℃退火６ｈ后；铝膜下的非晶硅已完全晶化，确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．

关键词: 金属诱导晶化 , low temperature , amorphous silicon film , polycrystalline silicon film

三氧化钼低温挥发性能及抑制挥发方法

朱航宇 , 李正邦 , 杨海森 , 刘吉刚

钢铁研究学报

选取碳酸钙、氧化钙及氧化镁作为添加剂，采用热重分析法及X射线衍射(XRD)分析对比了各添加剂对三氧化钼挥发的抑制效果。研究结果表明，碳酸钙和三氧化钼500℃开始反应，至三氧化钼开始挥发前二者反应已基本完成，且反应速率大于三氧化钼的挥发速率；碳酸钙、氧化钙和氧化镁均能有效抑制三氧化钼的挥发，500~700℃温度区间抑制效果较好，其中碳酸钙对氧化钼挥发的抑制效果优于氧化钙及氧化镁。

关键词: 三氧化钼 , volatilization , addition agent , low temperature

BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

李金隆 , 李言荣 , 张鹰 , 邓新武 , 刘兴钊

无机材料学报

利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO₃(100)单晶基片上外延生长SrTiO₃(STO)、BaTiO₃(BTO)、Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.

关键词: BST , ferroelectric thin films , low temperature , epitaxial growth

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