吴紫平
,
索红莉
,
刘敏
,
叶帅
,
汤潇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01273
通过在YBCO前驱溶液中加入醋酸钆(Gd(CH3COO)3), 使元素Gd部分取代Y, 成功地制备了Y0.5Gd0.5BCO薄膜, 该薄膜成分单一且具有很好的c轴取向. 通过对Y0.5Gd0.5BCO薄膜和YBCO、GdBCO薄膜的超导性能比较发现, 虽然Y0.5Gd0.5BCO薄膜的临界转变温度(Tc)(约为90.5 K)较YBCO和GdBCO薄膜有所下降, 但是在65K、自场下, Y0.5Gd0.5BCO薄膜具有最高的临界电流密度(Jc)值, 为4.87MA/cm2. 且随着外加磁场的增加, Jc值提高的较多. 在3T的磁场下, Y0.5Gd0.5BCO薄膜的Jc值分别是纯GdBCO和YBCO薄膜的1.8倍和5.1倍. 此外, 替代还有效提高了薄膜的磁通钉扎力.
关键词:
YBCO薄膜
,
elemental substitutions
,
fluorine-reduced MOD
,
field-property
吴紫平
,
索红莉
,
刘敏
,
叶帅
,
徐燕
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00477
采用低氟金属有机物沉积工艺, 通过将浓度相同的YBCO、YbBCO前驱溶液按1: 1的体积比混合, 使元素Yb部分取代Y, 成功制备了Y0.5Yb0.5BCO薄膜. 该薄膜成份单一, 具有很好的双轴织构; 薄膜表面平整致密, 没有裂纹和孔洞, 元素分布均匀. 虽然Yb部分取代Y降低了薄膜的临界转变温度(Tc), 但有效提高了薄膜在高场下的场性能, 如在77K, 3T磁场下, Y0.5Yb0.5BCO薄膜的Jc值提高了1.26倍. 为了进一步改善薄膜在低场下的性能, 通过在Y0.5Yb0.5BCO前驱溶液中再加入6 mol%的TaCl5, 成功地制备了Ta5+掺杂的Y0.5Yb0.5BCO薄膜, 提高了薄膜在整个磁场范围内的载流能力.
关键词:
Y0.5Yb0.5BCO薄膜
,
elemental substitution
,
nanoparticle doping
,
fluorine-reduced MOD
,
Field-property
叶帅
,
索红莉
,
刘敏
,
汤潇
,
吴紫平
,
周美玲
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01205
在金属有机盐沉积（MOD）法制备YBCO薄膜的工艺中, 采用无F的α甲基丙烯酸铜取代原来的三氟乙酸铜, 可以降低前驱溶液中大约50%的氟含量. 研究表明, 该方法大大缩短了YBCO前驱薄膜受热分解的时间, 仅为原来的1/7. 通过XRD、SEM分析发现, 该方法可以制备成分单一、具有良好立方织构的YBCO薄膜, 且薄膜表面平整致密, 没有裂纹, 临界温度(Tc)达到了90K左右, 77K、自场下的临街电流密度(Jc)达到了2.84MA/cm2. 通过在制备的YBCO薄膜中引入6mol% 的 Zr元素掺杂, 有效地提高了YBCO薄膜在外加磁场下的超导性能.
关键词:
α-甲基丙烯酸铜
,
flourine-reduced MOD
,
YBCO film
,
dopant
