斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00545
采用分子束外延方法在II-VI族Cd 0.98 Zn 0.02 Te(111)衬底上实现了异系IV-VI族半导体(PbTe)的外延生长. 原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明, PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成; 理论计算表明, 螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响. 通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察, 发现在PbTe和Cd 0.98 Zn 0.02 Te界面处存在Frank位错. 分析表明, 这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态, 位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
surface structure
,
dislocation
