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PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究

赵莎莎 , 孙清池 , 吴浩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00375

采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn_1/3Nb_2/3)O₃-Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃-PbZrO₃-PbTiO₃(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷, 并通过添加MnO₂、Sb₂O₃和Cr₂O₃以及改变Zr/Ti比来达到提高K _p和Q _m的目的. 同时也对Zr/Ti比对材料温度稳定性的影响进行了分析. 实验结果表明: 在960℃的预烧温度、1240℃的烧成温度下, 添加少量的MnO₂、Sb₂O₃和一部分Cr掺杂, 得到综合性能优良的压电材料: 室温下介电常数ξ₃₃^T/ξ₀=1669, 压电常数d₃₃=285×10^-12C/N, 机械品质因数Q _m=2179, 机电耦合系数K _p=54.9%, 介电损耗tanδ=0.4%. 可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求.

关键词: 压电陶瓷 , dielectric and piezoelectric properties , morphotropic phase boundary , temperature stability

分凝对Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-38%PbTiO₃单晶的成分及介电、压电性能的影响

曹虎 , 方必军 , 徐海清 , 罗豪甦

无机材料学报

研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62/38单晶在其生长过程中的分凝现象,研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响.XRFA分析表明,PMNT62/38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol％,而顶部的PT含量为43mol％.底部晶体(001),(110)和(111)三种切型的晶片加电场极化后,其介电和压电性能出现了异常的现象.(110)切型的压电模量最大,为1200pC/N;(111)次之,为789pC/N;(001)最低,为371pC/N.极化后的(110)和(111)晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数(两种切型的εr都在10000左右),约为(001)晶片(ε_r-5000)的1倍,并且介电常数在低温端有上升的趋势.

关键词: PMN-PT单晶 , segregation , cut orientation , dielectric and piezoelectric properties

高性能铌镁酸铅-钛酸铅定向压电陶瓷的研究

王评初 , 孙士文 , 潘晓明 , 朱丽慧 , 李东林 , 温保松 , 黄清伟 , 殷之文

无机材料学报

用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.30PbTiO₃高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35％,准静态压电常数d₃₃约为1500-1600pC/N,耦合系数k_t～0.51,k₃₃～0.82,22kV/cm时的场致应变约为0.23％.

关键词: 定向陶瓷 , Pb（Mg_1/3Nb_2/3）O₃-PbTiO₃ , dielectric

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