徐东
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朱宏
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汤丽娟
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杨云洁
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郑志宏
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柳襄怀
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谷口滋次
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柴田俊夫
金属学报
用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结合紧密用ＡＥＳ，ＸＲＤ和ＸＰＳ研究薄膜的组成和结构，高温循环氧化结果表明，经沉积膜的ＴｉＡｌ试样的抗氧化性能显著提高其中沉积０．５μｍ薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由ＳＥＭ及ＥＤＳ分析得出，良好的高温稳定性能、高的膜／基底结合力和形成富Ａｌ２Ｏ３和硅化物的保护层是提高ＴｉＡｌ抗高温氧化性能的主要因素．
关键词:
氮化硅薄膜
,
null
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null
,
null
刘毅
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林栋梁
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汪德宁
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陈达
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陈世朴
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刘治国
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孟祥康
金属学报
利用透射电子显微镜研究了ＰＳＴ双相ＴｉＡｌ类单晶室温变形后的位错特征。发现除微孪晶和１／２＜１１０］单位位错外，＜０１１］超点阵位错和１／２＜１１２］超点阵位错也参与了变形。＜０１１］位错通常发生：［１０１］→１／２［１０１］＋ＡＰＢ＋１／６［２１１］＋ＳＩＳＦ＋１／６［１ ２］的分解，而１／２＜１１２］超点阵位错则通常分解形成由１／６＜１１２］部分位错构成的层错偶极子。１／２＜１１０］单位位错通常是混合型位错。本文讨论了这些特征对材料室温变形的影响。
关键词:
ＰＳＴ晶体
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TiAl
,
intermetallics
,
dislocation
,
deformation
刘毅
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林栋梁
,
汪德宁
,
陈达
,
陈世朴
,
刘治国
,
孟祥康
金属学报
利用透射电子显微镜研究了ＰＳＴ双相ＴｉＡｌ晶体高温变形后的位错组态。发现微孪晶变形、１／２＜１１０］单位位错、＜０１１］超点阵位错、１／２＜１１２］超点阵位错均参与了变形。螺型＜０１１］超点阵位错可在｛１００｝面上分解，构成Ｋｅａｒ－Ｗｉｌｓｄｏｒｆ锁。４００℃，６００℃变形时由１／２＜１１２］位错分解形成的层错偶极子仍然存在，但数量减少。８５０℃变形时未发现层错偶极子，但这时１／２＜１１２］刃型可动位错数量增加。原位加热观察表明，层错偶极子在６５０℃时完全消失。本文讨论了这些位错特征对ＴｉＡｌ合金韧脆转变特征的影响。
关键词:
ＰＳＴ晶体
,
TiAl
,
intermetallics
,
dislocation; high temperature deformation
,
null
