袁泽锐
,
朱世富
,
赵北君
,
陈宝军
,
何知宇
,
杨胜伟
人工晶体学报
分析了硫镓银晶体的反常热膨胀,主要是由于晶体结构中Ag,Ga,S三种原子形成的四面体随着温度变化发生了畸变;通过采用改变生长安瓿的直径和壁厚,并在生长安瓿外面加一层套管的方法来减小晶体在降温过程中的反常热膨胀作用,有效避免了反常热膨胀可能造成的晶体破裂现象,生长出了完整性较好的大尺寸硫镓银单晶体.
关键词:
硫镓银
,
黄铜矿结构
,
晶体生长
,
反常热膨胀
,
石英安瓿下降法
孙倩
,
关荣锋
,
张大峰
人工晶体学报
利用电化学循环伏安法研究了Cu2、In3+及S2O2-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜.为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜.Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV.
关键词:
半导体薄膜
,
太阳能电池
,
CuInS2
,
黄铜矿结构
,
光学带隙
黄荣铁
,
郑明
,
隋丽芳
,
蔡传兵
,
黄富强
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160210
将原料封装入真空石英管,在873 K进行固相反应制各了Li掺杂的Cu1-xLixInSe2(x=0-0.4)块体材料,并对该材料的结构、电学和光学特性进行了系统性的研究.Li掺杂之后,样品的晶体结构还保持黄铜矿结构,并能得到更大的晶粒.而电阻率从1.98×102 Ω·cm增大到2.73×108 Ω·cm.光学能隙也从0.90 eV提高到1.33 eV,增大了光伏开路电压.实验结果表明,Li掺杂的Cu1-xLixInSe2能有效提高光电材料的性能.
关键词:
黄铜矿结构
,
太阳能电池
,
块体材料
,
物理特性
,
CuInSe2
