罗源
,
李凌云
,
钱蓉
,
喻筱静
,
孙晓玮
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.011
在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能.
关键词:
高阻硅
,
微带线
,
微波损耗
,
移相器
