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化学气相沉积钨的组织与力学性能研究

侯岳翔 , 李树奎 , 孙红婵 , 鲁旭东 , 宋修纲

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.05.016

用扫描电镜上的EBSD装置研究化学气相沉积法制备的高纯钨的晶体取向,化学气相沉积钨具有{110}<001取向织构;用电子万能试验机和分离式霍普金森杆(SHPB)研究纯钨的准静态(10-3s-1)和动态(2000~5000 s-1)压缩力学性能.并与等轴晶重熔钨进行对比分析,沉积钨的屈服强度由静态时的1350 MPa上升到动态时的2000 MPa以上.是应变率敏感材料,等轴晶纯钨的静动态屈服强度高于柱状晶沉积纯钨,柱状晶沉积纯钨有明显的应变硬化效应.沉积钨柱状晶组织的塑性变形方式除滑移外,还有大量的孪晶产生.

关键词: 化学气相沉积 , 应变率效应 , 力学性能 , 高纯钨 , 变形机制

电子束端面熔炼法制备高纯钨的研究

马运柱 , 刘业 , 刘文胜 , 龙路平

材料科学与工艺

采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975%,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5%和45.8%;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95%、90%、75%和71.4%,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10 μg/g.

关键词: 电子束熔炼 , 高纯钨 , 净化提纯 , 间隙杂质 , 非间隙杂质

冲击加载条件下化学气相沉积高纯钨的塑性变形机制

谭成文 , 孙红婵 , 于晓东 , 李树奎 , 王富耻 , 才鸿年

稀有金属材料与工程

采用较低温度下的化学气相沉积技术制备了高纯钨,利用分离式HOPKINSON压杆装置对制备的高纯钨和商用粉末烧结纯钨进行应变率为1000/s~2000/s的冲击加载,对冲击后的样品进行了变形机制对比分析.结果表明:在冲击载荷作用下粉末烧结纯钨变形机制以滑移和晶界滑动为主,而化学气相沉积纯钨则是孪生变形起到很大的作用;临近孪生间的交互作用会产生2种类型的穿晶断裂,这是化学气相沉积纯钨致脆的原因;在低于103/s应变率量级化学气相沉积纯钨不会发生绝热剪切,难以与钨合金一样通过绝热剪切变形提高其塑性变形能力.

关键词: 化学气相沉积 , 高纯钨 , 变形机制 , 穿晶断裂

He离子注入引起的高纯钨硬化

崔明焕 , 王志光 , 姚存峰 , 申铁龙 , 李炳生 , 庞立龙 , 金运范 , 李锦钰 , 朱亚滨 , 孙建荣

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.30.02.206

完成了不同注量或温度下100 keV的He离子注入高纯钨的实验,并利用纳米压痕技术测量了材料的微观力学性能。所有注入样品的纳米硬度值都高于未注入样品的纳米硬度值。对于室温注入样品,随着注量的增加,样品抗弹性变形能力下降;当注量不高于5×1017 ions/cm2时,钨的纳米硬度峰值随着注量的增加而增加;注量为1×1018 ions/cm2的钨样品的纳米硬度峰值反而降低。高温注入样品的抗弹性变形能力优于室温注入样品的抗弹性变形能力;随着注入温度的增加,样品的平均纳米硬度值和弹性模量略有下降。分析讨论了He注入钨硬化和抗弹性形变能力降低的可能原因。

关键词: He注入 , 高纯钨 , 纳米压痕 , 表面硬化

电感耦合等离子体质谱法测定高纯钨中26种痕量杂质元素

张颖 , 熊静

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2014.05.008

采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯钨中26种痕量杂质元素,讨论了溶样方式,研究了质谱干扰和钨基体效应,应用屏蔽炬技术消除56ArO+等多原子离子对Fe、Ca、K等元素的干扰,采用在线样品标准加入法消除基体效应.各元素的方法检出限(15σ)为0.03~0.45μg/g,对样品加标0.5μg/g的回收率在88%~116%之间.方法适用于纯度为99.999%的高纯钨中痕量杂质元素的测定.

关键词: 电感耦合等离子体质谱 , 高纯钨 , 痕量杂质

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