李彦波
,
刘超
,
张杨
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.005
由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间.本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景.
关键词:
锑化物半导体
,
高电子迁移率晶体管
,
HEMT
,
ABCS
,
研究进展
王浩
,
谢生
,
冯志红
,
刘波
,
毛陆虹
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.010
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的 In-AlN/GaN HEMT 器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明，在关态和开态应力后，器件直流特性明显退化，退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明，关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的；而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此，只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程，在无外界激励时，经过10 d左右的静置，器件基本恢复初始性能。
关键词:
高电子迁移率晶体管
,
电流崩塌
,
偏置应力
,
铟铝氮
,
氮化镓
姜霞
,
赵正平
,
张志国
,
骆新江
,
杨瑞霞
,
冯志红
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.
关键词:
AlGaN/GaN
,
高电子迁移率晶体管
,
解析模型
,
自热效应
,
直流Ⅰ-Ⅴ特性
何川
,
王生旺
,
李斌
,
王自力
,
吴志华
低温物理学报
高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与分析晶体管微波特性的基础.本文通过测量HEMT器件在低温环境下(10 K、77 K)直流参数与散射参数(S参数),提出了一种能够直接提取低温环境下HEMT器件小信号等效电路中各元件参数的方法,并且根据器件的Ⅰ～Ⅴ模型分析了低温下直流参数变化的原因.在覆盖10 GHz以下频段分别提取栅长为0.15 μm与0.3μm两款HEMT器件的小信号等效电路低温模型,实验显示理论计算结果与实测的S参数具有很好的吻合度.
关键词:
高电子迁移率晶体管
,
直流参数
,
小信号模型
,
微波特性
,
低温
王现彬
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.032
建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性.仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96 V、-2.29 V和-2.47 V,而其对应的峰值跨导则分别为44 mS/mm、41.2 mS/mm和41.3 mS/mm.该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考.
关键词:
N极性
,
高电子迁移率晶体管
,
极化效应
,
直流特性
