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间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜

姜宏伟 , 彭鸿雁 , 陈玉强 , 祁文涛 , 王军 , 曲晏宏

材料导报

采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜.金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h.采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征.研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜.

关键词: 直流热阴极PCVD , 高甲烷浓度 , 纳米金刚石膜 , 间歇式

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