李栋
,
王芬
,
朱建锋
,
薛小霜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.016
以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒.采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征.研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成.XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好.光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰.中心位于468nm、493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用.
关键词:
微波水热
,
高温氨化
,
GaN
,
纳米棒
