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周远 , 刘安玲 , 刘光灿
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.015
高数值孔径(NA)光刻中,需要控制衬底反射率以减小薄膜干涉对光刻性能的影响.采用薄膜光学方法研究了高NA光刻中底层抗反膜(BARC)对衬底反射率的控制.针对硅基底对单层和双层BARC进行优化以探索满足高NA光刻要求的BARC材料光学参数容限.结果表明,当NA超过0.8时,单层BARC无法控制衬底反射...
关键词: 薄膜光学 , 衬底反射率 , 底层抗反膜优化 , 高数值孔径光刻