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用于LED驱动芯片的500V级SOI高压器件的研究

张斌 , 朱文清 , 王中健

功能材料与器件学报

本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案.在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,并开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.成功进行实验,测试结果显示,器件击穿电压可达550V,比导通电阻为5.8Ω· mm2 .

关键词: SOI , LED , LDMOS , 高压器件