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大尺寸红外非线性光学晶体LiInS2的生长与性能研究

王善朋 , 陶绪堂 , 刘贯东 , 董春明 , 蒋民华

人工晶体学报

采用高压釜法合成了单相、致密的LiInS2多晶原料,采用改进的Bridgman晶体生长技术进行红外非线性光学晶体LiInS2的生长研究,获得了12 mm×40 mm的高质量完整单晶.对所获得的LiInS2晶体进行了组分分析、高分辨X射线衍射、激光损伤阈值等测试表征,测试结果表明:晶体存在硫过量和锂不足(NLi: N In<1),各组分稍微偏离化学计量比;LiInS2晶体的 (040)面的半峰宽为78.84'',表明晶体具有较好的完整性;晶体的激光损伤阈值为109 MW/cm2,有待于通过提高晶体质量和晶体表面的质量来进一步提高.

关键词: LiInS2 , 红外非线性光学晶体 , 高分辨X射线衍射 , 激光损伤阈值

高分辨X射线衍射术对NdP5O14晶体的自发应变及铁弹畴结构的研究

高磊 , 董春明 , 胡小波 , 王继场

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.010

利用助溶剂法,已经生长出15mm×25mm×60mm的大尺寸NdP5O14(NPP)晶体.用高分辨X射线衍射术对自发应变及铁弹畴结构进行了研究.对几个不同的反射,可在其摇摆曲线上观测到由基体畴和铁弹畴之间的取向差导致的反射峰的分离.通过反射峰分离的特点,可以确定铁弹畴结构.NPP晶体中大多数铁弹畴为a型畴,b型畴只出现在严重形变的区域. 基于NdP5O14晶体畴结构,我们分别计算了802,402和204反射的峰分离量.实验测量结果符合计算结果.另外,通过测量基体畴和铁弹畴的800反射的峰分离量我们确定了NdP5O14的自发应变是0.0082.通过结构和对称性分析,我们对这种晶体的畴结构进行了详细讨论.

关键词: 铁弹畴 , 高分辨X射线衍射 , 五磷酸钕 , 自发应变 , 摇摆曲线

基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析

梅斌 , 徐刚毅 , 李爱珍 , 李华 , 李耀耀 , 魏林

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.007

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.

关键词: 高分辨X射线衍射 , InGaAs , InAlAs , 错向角 , 摇摆曲线 , 倒空间mapping

HRXRD研究SiN盖帽层在Si中引入的应变

杨洪东 , 于奇 , 王向展 , 李竞春 , 罗谦 , 姬洪

材料导报

为了研究SiN盖帽层在Si中引入应变的机理与控制,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术分析了si中应变的各向异性以及与盖帽层厚度的关系.研究发现,盖帽层厚度低于300nm时,应变量与厚度呈近线性关系,随后增加趋缓,最终达到一饱和值;同时,应变在不同晶向表现出明显的各向异性,表层应变Si与未应变Si衬底在(004)晶面上的衍射峰重叠在一起,而(111)晶面的2个衍射峰可明显地被分离,且倾角对Si衬底衍射峰半高宽具有明显的展宽.

关键词: 氮化硅 , 应变测量 , 高分辨X射线衍射 , 应变硅

6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

韩荣江 , 王继扬 , 胡小波 , 徐现刚 , 董捷 , 李现祥 , 蒋民华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.002

利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于微管周围存在着应力场,且应力分布不均匀,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的.从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在2c到10c之间.从晶片00012衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出,晶片的中间大部分区域质量很好,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄,一般为35"左右.在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽,有些区域还会出现衍射峰的分裂,这说明外围区域有嵌镶块结构存在.

关键词: 透射偏光显微术 , 同步辐射X射线形貌术 , 高分辨X射线衍射 , 6H-SiC单晶 , 微管 , 小角度晶界

氘含量对K(H1-xDx)2PO4晶体结构及完整性的影响

刘文洁 , 丁建旭 , 牟晓明 , 刘光霞 , 孙云 , 刘琳 , 王圣来 , 顾庆天

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.015

采用传统降温法生长了一系列的 K (H1-xDx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a 随氘含量的增加而增大,参数c 则小幅度增大。对晶体的高分辨 X 射线衍射研究,结果表明 KDP-DKDP 混晶中,D取代部分的 H 原子对晶体的结晶完整性影响较小。

关键词: K(H1-xDx)2PO4 晶体 , 粉末 , X射线衍射 , 晶胞参数 , 高分辨X射线衍射 , 结晶完整性

Ba2TiSi2O8晶体的质量表征及其性能研究

申传英 , 张娜娜 , 王继扬 , 王奕程 , 于浩海 , 张怀金

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.010

通过不断探索生长工艺及生长参数,采用提拉法成功生长了尺寸约为35 mm× 35 mm×50 mm的Ba2 TiSi2 O8晶体,所得晶体均匀透明无开裂,用绿光激光笔照射,没有明显散射颗粒.表征了晶体质量,并对其透过光谱和室温偏振拉曼光谱性能进行了研究.采用高分辨X射线衍射技术对晶体的质量进行了表征,衍射峰较窄,没有劈裂,且分布对称,说明生长的晶体晶格完整、品质较好,能够满足晶体某些光学方面的需求.用分光光度计测量了晶体的室温透过光谱,晶体[100]方向和[001]方向上的透过率接近,在340~2500 nm范围内其透过率大约为84%,晶体的紫外透过截止波长为275 nm,高的透过率以及短的紫外透过截止波长,表明该晶体可能在光学方面有一定应用.采用共聚焦纤维拉曼光谱仪测量了晶体在背散射X(ZZ)X,X(YY)X,Z(XY)Z和X(YZ)X配置下的室温偏振拉曼光谱,并指认了某些测定的特征峰:662 cm-1属于桥对称伸缩振动vs(Si-O-Si),578,625,749,858,876 cm-1属于v(Ti-O)振动,858,901,930,993和1022 cm-1属于v(SiO3)振动.

关键词: Ba2TiSi2O8晶体 , 高分辨X射线衍射 , 透过光谱 , 拉曼光谱

高质量GaN/Al2O3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究

肖祁陵 , 张萌 , 王立

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.013

通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/Al2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法.结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合.

关键词: GaN , 高分辨X射线衍射 , 位错密度 , 掠入射

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

黎大兵 , 董逊 , 刘祥林 , 王晓晖 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.016

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.

关键词: InAlGaN四元合金 , 金属有机物气相外延 , 高分辨X射线衍射 , 光致发光

氢化物气相外延生长GaN膜性质研究

刘战辉 , 张李骊 , 李庆芳 , 修向前 , 张荣 , 谢自力

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.23.012

利用氢化物气相外延技术在c 面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构 GaN 膜.采用高分辨 X 射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN 外延膜进行了结构表征和光学性质研究,重点探讨了光致发光谱的温度变化特性.样品(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽分别为322和375 arcsec,表明生长的 GaN 膜具有较好的晶体质量.高分辨 X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱测试表明,外延膜中存在0.26 GPa 的面内压应力.变温光致发光谱研究发现 GaN 外延膜中 A 自由激子发射峰和施主束缚激子发射峰随温度变化服从能带收缩理论.但由于 A 自由激子单声子伴峰可能是一种与自由激子动能变化相关的自由激子-声子相互作用的复合机制,导致其峰位呈现先蓝移后红移变化,以及其积分强度出现先增加后降低的现象.

关键词: 氮化镓 , 氢化物气相外延 , 高分辨X射线衍射 , 拉曼光谱 , 变温光致发光谱

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