姚博
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方泽波
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朱燕艳
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陈圣
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李海蓉
功能材料
采用分子束外延（MBE）方法在Si（001）衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压（C-V）测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
关键词:
Er2O3
,
高频C-V测试
,
高k栅介质
,
频率色散
李乐庆
,
方必军
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.04.020
用传统的陶瓷工艺、通过B位氧化物预合成法制备了高质量、钙钛矿结构的0.20Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-0.32PbZrO3-0.48PbTiO3(PFN20-PZ32-PT48)铁电陶瓷,该条件下制备的铁电陶瓷呈现相当均匀的微结构和良好的电学性能.PFN20-PZ32-PT48具有较大的室温介电常数(～410)、高的居里温度(TC,～350℃),在295K＜T＜525K温度区间,具有较小的介电常数温度梯度(a)ε/(a)T=2.8/℃,并且介电常数与频率无关,特别适合高温电容器工业的应用.虽然PFN20-PZ32-PT48呈现较为典型的一级铁电相变,其介电性能在顺电相区呈现明显的频率色散现象,并伴随着介电常数和损耗的反常增加.该反常现象的产生可能与陶瓷烧结过程中Fe3+被部分还原成Fe2+离子所诱导产生的热激发的空穴导电机制有关.PFN20-PZ32-PT48的剩余极化(Pr)与频率的关系可以很好地用随机场模型模拟,表明其弛豫行为的产生与短程化学有序所诱导产生的极性簇和/或纳米尺寸的非均匀性有关.
关键词:
B位氧化物预合成
,
铌铁酸铅基
,
频率色散
,
介电损耗
王兴林
,
王奇
,
施解龙
,
申明
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.05.027
考虑由左手系材料作覆层衬底的对称波导系统,研究了TE线性极化波在该波导中的传播特性.利用直接图解法对各种波导模式进行了详细地判别,结果表明快波、慢波均可以在该波导中传播,两者的模式特征与传统介电波导及左手波导均存在较大差异.分析了导波的色散关系并定性地讨论了群速度随频率的变化规律.揭示了在一定条件下,该波导系统既可以支持前向线性TE波的传播也可以支持反向线性TE波的传播,且支持低阶快波偶模式和慢波奇模式传播的频率段相对狭窄.
关键词:
光电子学
,
左手系材料
,
导波
,
频率色散
,
群速度
