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预烧温度对掺杂TiO2、MnO2的镍铁尖晶石惰性阳极微观形貌和性能的影响

席锦会 , 姚广春 , 刘宜汉

材料导报

研究了预烧温度对掺杂TiO2、MnO2的镍铁尖晶石惰性阳极的微观结构、密度、抗热震性、抗弯强度、抗腐蚀性的影响.研究结果表明,预烧温度对惰性阳极的性能影响很大.当预烧温度为1000℃时,阳极的体积密度最大,抗弯强度最高,抗腐蚀性最强;预烧温度小于1200℃时,抗热震性均很好.综合各方面性能,最佳的预烧温度确定为1000℃.

关键词: 镍铁尖晶石 , 惰性阳极 , 预烧温度 , 微观形貌

预烧温度对3Y-TZP纳米粉料性能的影响

郑明银 , 谢建林

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.03.005

分别在500℃和800℃2种温度下对3Y-TZP纳米粉体预烧,粉体样品的TEM,BET,SAXS测试结果和烧成品的体积密度结果分析表明:预烧热处理温度对纳米3Y-TZP粉体性能的影响是显著的.结合实验与理论分析,得出预烧粉末颗粒长大的机理,预烧温度对粒度变化、烧成温度及体积密度的影响作用.

关键词: 纳米3Y-TZP粉料 , 预烧温度 , 粒径分布 , 性能

预烧温度对BaTiO3基X7R陶瓷相结构和介电性能的影响

陈力颖 , 吴顺华 , 王爽 , 王国庆 , 刘明媚 , 赵国捷

稀有金属材料与工程

采用传统电子陶瓷工艺制备了符合X7R指标的BaTiO3陶瓷系统,研究了预烧过程对该系统结构和介电性能的影响.XRD和SEM分析表明,对BaTiO3粉料的预烧增大了晶粒尺寸并增加了c/a比,预烧过程通过增加c/a比提高了铁电性,极大地提升了介电常数,但是由于电畴重定向的驰豫机制也导致了损耗角的少量增加.没有经过预烧的BaTiO3陶瓷(1240℃烧结),其相结构近似立方相(c/a=1.0005),而把BaTiO3粉料经过预烧(1200℃),同样烧结条件(1240℃)的BaTiO3陶瓷相结构为四方相c/a=1.0030.BaTio3系统在1200℃预烧和1240℃烧结得到的样品具有满足X7R指标的优良介电性能,其介电性能为:εr≥4500,⊿εr/εr≤±15%(-55~125℃),tanδ≤0.012(25℃).

关键词: BaTiO3 , 介电性能 , X7R , 预烧温度

BNT-BT粉体的低温合成及陶瓷性能研究

吴文娟 , 肖定全 , 吴家刚 , 李婧 , 梁文峰 , 张承 , 王卓 , 李紫源 , 朱建国

功能材料

研究了0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3[记为BNT-6BT]无铅压电陶瓷的预烧温度对陶瓷粉体相结构的影响,并在低温合成了BNT-6BT陶瓷粉体,利用这些粉体,采用传统固相烧结工艺,制备了BNT-6BT无铅压电陶瓷;研究了不同预烧温度对BNT-6BT压电陶瓷压电性能、介电和铁电性能的影响。结果表明BNT-6BT陶瓷粉体可以在600℃合成,与通常在900℃合成相比,大大降低了BNT-6BT陶瓷粉体的预烧温度;采用传统的陶瓷固相烧结工艺,利用在600℃合成的粉体所制备的压电陶瓷,其电学性能有所提高:密度ρ=5.87g/cm3,压电常数d33=141pC/N,平面机电耦合系数kp=0.30,机械品质因数Qm=141,居里温度TC=278℃,去极化温度Td=132℃,相对介电常数εr=1643,自发极化强度Pr=23μC/cm2和矫顽场Ec=32kV/cm。

关键词: 无铅压电陶瓷 , 0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06Ba-TiO3 , 固相烧结 , 预烧温度 , 电学性能

预烧温度对高导磁率MnZn铁氧体微结构和磁性能的影响

王朝明 , 兰中文 , 余忠

功能材料

研究了预烧温度对高导MnZn铁氧体微结构和主要磁性能的影响,研究表明,由于预烧温度对粉体的活性产生很大影响,所以适宜的预烧温度是良好显微结构和高性能铁氧体的必要保证.适当降低预烧温度可以提高材料的磁导率,而提高预烧温度能够获得较好的频率特性.

关键词: 预烧温度 , 高导MnZn铁氧体 , 微结构 , 磁性能 , 频率特性

预烧温度对BZN微波陶瓷介电性能的影响

罗军 , 庞照勇 , 程珊珊 , 倪蔚 , 熊兆贤

功能材料

以工业纯BaCO3、ZnO、Nb2O5为原料,按照一定配比配料混合,通过传统的固相反应法合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(即BZN)陶瓷材料,预烧温度(分别为1000、1100和1200℃)对BZN陶瓷微波性能的影响过程中,对合成的BZN粉体进行差热/热重分析,对烧结后的BZN陶瓷进行XRD分析和SEM形貌观察,利用矢量网络分析仪测量BZN陶瓷的微波性能Q、εr和rf.实验结果表明,预烧温度对BZN微波陶瓷的介电性能影响比较大,预烧温度为1200℃时可以获得较好的介电性能:εr=41.6,Q*f=38671GHz,τf=2.8×105/℃.

关键词: 微波介质陶瓷 , Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 , 预烧温度 , 介电性能

Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能

刘涛 , 赵小如 , 金宁

人工晶体学报

采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂ZnO薄膜(ZASO薄膜).利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响.结果表明:预烧温度为500℃,Sn、Al掺杂浓度分别为1.0at%时,得到的ZASO薄膜的综合光电性能最好,晶粒尺寸较大,方块电阻可达3.3 kΩ/□,光学透过率达92.9%.

关键词: 溶胶凝胶法 , Sn-Al掺杂ZnO薄膜(ZASO) , 掺杂浓度 , 预烧温度

BaO-Sm2O3-TiO2系MWDC的制备工艺研究

张欣 , 庄志强 , 吕鹏程 , 王歆

功能材料

研究了原料粉体纯度、预烧温度、烧结气氛等工艺条件对BaO-Sm2O3-TiO2系MWDC性能的影响,并根据X射线衍射图,分析了烧结过程中,材料内部的相转变.

关键词: 微波介质陶瓷 , 氧气氛 , 预烧温度 , 原料纯度

预烧温度对CaCu3Ti4O12陶瓷结构和介电性能的影响

倪维庆 , 俞建长 , 郑兴华 , 梁炳亮

稀有金属材料与工程

采用固相反应法在不同温度(950~1100 ℃)下预烧后烧结制备CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷.对CCTO陶瓷进行物相分析,并测试了20 Hz~1 MHz频率范围和25~150 ℃温度区间的介电性能和阻抗谱,详细研究了预烧温度对CCTO陶瓷烧结性能、晶体结构和介电性能的影响.结果表明,较低的预烧温度有利于CCTO陶瓷的烧结,容易获得介电性能较好的CCTO陶瓷.950 ℃预烧后,于1120 ℃烧结的CCTO陶瓷室温1 kHz频率下介电常数可达12 444.

关键词: 固相反应 , 预烧温度 , CaCu3Ti4O12 , 介电性能

预烧温度对纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷组织和性能的影响

刘文俊 , 郑勇 , 熊惟皓

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.06.028

用真空预烧+热等静压处理工艺制备了纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷,用SEM和TEM/EDX研究了预烧温度对纳米复合Ti(C,N)基金属陶瓷显微组织和性能的影响.结果表明:随着预烧温度的升高,硬质相颗粒明显球化、细化且分布均匀,具有白芯-灰壳结构的小硬质相颗粒明显增多,且环形相较完整.在1 420℃预烧时,金属陶瓷具有较好的力学性能;继续升高预烧温度时,晶粒会明显长大,环形相变厚、变脆,导致材料的性能下降.综合考虑认为,较佳预烧结温度为1 420℃.

关键词: Ti(C,N)基金属陶瓷 , 预烧温度 , 纳米复合 , 热等静压

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