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AZO热压靶材的制备及性能表征研究

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.03.015

以化学组成ZnO:Al<,2>O<,3>=98:2%的混合粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.研究了热压工艺条件对靶材致密化的影响.结果表明,热压温度与压力上升,靶材致密度增大;在AZO靶材的致密化过程中存在"反致密化"现象,这是由于连通气孔的合并与生长及闭合气孔率的升高引起的.在实验条件范围内,在热压工艺条件压力18 MPa、温度1150℃、保温保压时间90 min下.制备了AZO靶材.通过SEM观察热压靶材的断面形貌,阿基米德法测量靶材密度,水银压汞仪测量靶材的平均孔径及孔径分布,XRD测定靶材相结构,四探针测定电阻率等方法对AZO靶材的性能进行了分析表征,结果表明:结构为六方纤锌矿,密度为5.39 g·cm-<'-3>,靶材连通气孔率为0.05%,闭合气孔率为3.4%,电阻率为5.3×10<,-4>Ω·cm.采用射频溅射制备AZO薄膜,对靶材的使用性能及AZO薄膜性能进行了分析,表明靶材使用寿命大于150 W·h,薄膜在可见波段的平均透过率达到85.5%,电阻率达到3.1 x 10<,4>Ω·cm,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.

关键词: AZO , 靶材 , 热压 , 溅射 , 薄膜太阳能

靶材用钨铜复合材料的制备工艺

高维娜 , 王庆相 , 杨怡 , 范志康

稀有金属材料与工程

在真空条件下,采用高温烧结钨骨架后渗铜工艺制备靶材用钨铜复合材料,研究烧结温度对钨坯及钨铜复合材料组织与性能的影响.结果表明:随着烧结温度的提高,钨颗粒间逐渐由点接触扩大为面接触,烧结颈逐渐长大,同时孔隙不断缩小并趋于球形,钨骨架和钨铜复合材料相对密度及硬度不断增加,而钨铜复合材料的电导率不断下降.当烧结温度为1950 ℃时,钨骨架和钨铜复合材料的相对密度分别达到74.8%和96.9%的最高值;钨铜复合材料的硬度(HB)达最大值2520 MPa,而电导率则降低到36.6IACS%,其中氧含量仅为4×10-6,氮含量为3×10-6.

关键词: 钨铜复合材料 , 靶材 , 真空烧结熔渗 , 电导率

9900型靶材与靶托的连接技术

韩雪

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.04.019

针对9900型靶材与靶托的连接中存在的难题分析其原因, 对此采取了一些措施, 通过靶材大小, 焊料的改进和热处理等, 实现了Ni-Cr合金、铬、银靶与铜底托的连接,生产出产品的批量使用证明, 焊接质量完全满足使用要求.

关键词: 靶材 , 靶托 , 连接 , 退火 , 脱焊

烧结温度对冲击磨用Al2O3陶瓷靶材性能的影响

周喜 , 陈海焱 , 陈俊冬 , 卢成渝 , 王焱

材料导报

利用无压烧结工艺制备了陶瓷靶材,并借助扫描电子显微镜和液压机等测试设备研究了烧结温度对陶瓷靶材显微结构和力学性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,掺杂Al2O3陶瓷靶材的晶粒尺寸逐渐增大,晶粒形状也由各向异性生长逐步向等轴状发育;靶材的抗弯强度也随着烧结温度的升高先升高后降低,并在1600℃时强度和耐磨性达到最大.

关键词: 烧结温度 , 陶瓷 , 靶材 , 性能

磁控溅射金基合金靶材的制备、应用及发展趋势

张勤 , 张俊凯 , 厉英

材料导报

磁控溅射金基合金镀膜材料以其特有的性能和特点,应用范围越来越广.作为源材料,金基合金靶材的质量对溅射工艺及镀膜性能起着至关重要的作用.主要介绍常用金基合金的种类;金基合金溅射靶材的制备方法及应用现状;高端金基合金溅射靶材制备的技术要求、存在的问题及未来的发展思路.

关键词: 金基合金 , 磁控溅射 , 靶材 , 技术要求

镍酸镧陶瓷靶材的制备工艺

刘秋香 , 董桂霞 , 冯冬梅

材料热处理学报

采用固相反应法制备镍酸镧(LaNiO3)粉体,利用常压烧结法烧结LaNiO3陶瓷靶材.探索了制备LaNiO3陶瓷粉体的工艺条件;利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了固相反应热处理工艺及烧结工艺对LaNiO3陶瓷粉体及靶材的相组成及微观形貌的影响.结果表明:在氧气气氛中,900℃下煅烧10 h可获得纯度较高、晶粒细小的LaNiO3粉体;烧结温度为1100℃保温4h时,获得了比较致密且晶粒分布均匀的LaNiO3陶瓷靶材,同时电阻率达到了0.52 mΩ· cm.

关键词: 镍酸镧 , 靶材 , 固相反应 , 常压烧结 , 电阻率

集成电路制造用溅射靶材

尚再艳 , 江轩 , 李勇军 , 杨永刚

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.022

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业. 在不同产业中, 半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高. 对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述, 并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响, 以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法.

关键词: 集成电路 , 溅射 , 靶材 , 半导体

NiPt60%合金靶材磁控溅射前后形貌及结构观察

王传军 , 闻明 , 张俊敏 , 沈月 , 易伟 , 管伟明 , 谭志龙

贵金属

镍合金和铂合金靶材是电子半导体行业重要的镀膜材料。悁究镍合金和铂合金靶材对于改善薄膜质量和提高器件性能有重要意义。采用2种不同工艺制备了NiPt60%合金溅射靶材。使用金相显微镜(OM)，扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)观察并分析了磁控溅射前后靶材表面的形貌及结构。结果表明，采用热轧-热处理制备的靶材晶粒粗大但均匀，平均晶粒尺寸约为100μm；采用温轧-热处理制备的靶材细小但不均匀，平均晶粒尺寸约为50μm。溅射后的靶材形貌与晶粒尺寸和分布息息相关。

关键词: 金属材料 , NiPt合金 , 形貌 , 结构 , 靶材 , 晶粒尺寸

钼板轧制及热处理工艺对溅射薄膜微观组织及性能的影响

刘仁智

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.22.024

通过研究钼金属靶材轧制变形量及热处理工艺对溅射薄膜的微观组织、表面粗糙度及晶形的影响,结果表明:变形量为80％的钼靶材溅射制备的薄膜晶化程度优于变形量小的靶材溅射薄膜;溅射相同的薄膜厚度,随着靶材变形量的增大,溅射薄膜的方阻越大;1373K退火靶材溅射薄膜的粗糙度最小,表面颗粒最细小均匀,晶粒取向明显.

关键词: 钼 , 靶材 , 微观组织 , 溅射

铟锡氧化物陶瓷靶的制备

刘喜波 , 陈派明 , 杨硕

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2011.03.008

研究了铟锡氧化物(ITO)粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响.结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下具有体心立方In2O3结构,1100℃退火后由In2O3和SnO2两相组成;ITO粉末经过喷雾造粒后,形成了实心球形颗粒并具有合理的颗粒级配,通过气氛烧结可以制备出高密度优良的ITO靶材.

关键词: 铟锡氧化物 , 退火 , 喷雾造粒 , 靶材

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