陆峰
,
徐成海
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.011
采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al( ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80％,最低电阻率为4.5×10-4Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求.
关键词:
ZAO薄膜
,
直流反应溅射
,
溅射功率
,
靶基距
刘增机
,
纪全
,
张浴晖
,
夏延致
,
王凤军
功能材料
采用射频磁控溅射法,以聚四氟乙烯(PT-FE)为靶,氩气为载气,在再生纤维素基底上制备了氟碳膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和静态接触角测试仪对氟碳膜的表面形貌、表面结构和表面性能进行了研究.结果表明,该法制得的氟碳膜是由纳米粒子组成的岛状结构,岛的表面起伏不平.这种氟碳膜由-CF3-CF2-、-CF-和-C-4个组分构成,靶基距从30mm增加到813mm时,氟碳膜的F/C从0.551减小到0.427,呈逐渐减小的趋势.随着靶基距的增大,接触角从107°逐渐减小到75°,减小靶基距有利于提高氟碳膜的疏水性能.
关键词:
射频磁控溅射
,
靶基距
,
AFM
,
XPS
,
接触角
杨海刚
,
王聪
,
宋桂林
,
王天兴
,
常方高
功能材料
采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO_3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征.通过可见光透射谱对样品的电致变色性能进行了研究,并且讨论了WO_3薄膜电致变色性能与其微结构、价态变化之间的关系.发现靶基距为7cm的情况下沉积得到的WO_3薄膜呈非晶态,薄膜有更多的孔隙,有利于Li~+的抽取,进而显示出较好的电致变色性能.反应溅射制备的WO_3薄膜中W是W~(6+)价态,颜色为透明状,当发生着色反应时,随着薄膜中Li~+成分增加,薄膜颜色变为蓝色,薄膜中W原子为W~(6+)和W~(5+)的混合价态.认为其电致变色的行为是由于Li~+和e~-在薄膜中的注入和拉出引起的W~(6+)和W~(5+)发生转化所致.
关键词:
WO_3薄膜
,
磁控溅射
,
靶基距
,
电致变色机制
马玉英
,
刘爱华
,
任现坤
材料保护
常用的分子束外延、粒子束沉积法难以获得均匀、致密性好的单一相β-FeSi2薄膜,利用脉冲激光沉积及热退火处理法在P型Si(100)基片上制备了均匀的单一相β-FeSi2薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜及红外光谱仪研究了靶基距对β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量、表面形貌及光吸收特性的影响.结果表明:随着靶基距的增加,薄膜的晶化程度先变差后增强再变差,晶粒尺寸先减小后增大再减小,颗粒分布均匀性先变好后变差;表面粗糙度先减小后增大;靶基距为40 mm时,β-FeSi2薄膜的结晶度较高,颗粒大小均匀、趋于球形化,薄膜致密性较好,粗糙度较低,对红外光的吸收较好.
关键词:
脉冲激光沉积
,
β-FeSi2薄膜
,
靶基距
,
结晶质量
,
光吸收特性
李春伟
,
田修波
,
巩春志
,
许建平
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.07.021
目的：研究不同靶基距对高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）在凹槽表面制备钒膜微观结构和膜厚均匀性的影响，实现凹槽表面高膜层致密性和均匀性的钒膜制备。方法采用HIPIMS方法制备钒膜，在其他工艺参数不变的前提下，探讨不同靶基距对凹槽表面钒膜相结构、表面形貌及表面粗糙度、膜层厚度均匀性的影响。采用 XRD、AFM及 SEM 等观测钒膜的表面形貌及生长特征。结果随着靶基距的增加，V(111)晶面衍射峰强度逐渐降低。当靶基距为12 cm时，钒膜膜层表面粗糙度最小，为0.434 nm。相比直流磁控溅射（DCMS），采用HIPIMS制备的钒膜呈现出致密的膜层结构且柱状晶晶界不清晰。采用HIPIMS和DCMS方法制备钒膜时的沉积速率均随靶基距的增加而减少。当靶基距为8 cm时，采用HIPIMS方法在凹槽表面制备的钒膜均匀性最佳。结论采用HIPIMS方法凹槽表面钒膜生长的择优取向、表面形貌、沉积速率及膜厚均匀性均有影响。在相同的靶基距下，采用 HIPIMS 获得的钒膜膜厚均匀性优于DCMS方法。
关键词:
高功率脉冲磁控溅射
,
靶基距
,
钒膜
,
微观结构
,
厚度均匀性
黄浩
,
文懋
,
陈大明
,
李臻熙
,
黄旭
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2011.z1.030
在SiC纤维表面利用直流磁控溅射PVD(Physical Vapor Deposition)技术沉积钛合金是制备钛基复合材料的重要工艺过程.研究了直流磁控PVD技术在SiC纤维表面沉积钛合金工艺中,靶基距对涂层厚度分布,结构演变,薄膜生长的影响,并通过表面轮廓仪,XRD(X-Ray Diffraction),原子力显微镜对涂层进行表征.结果表明:随着靶基距的减小,涂层均匀性降低,沉积率增加,能量增高,生长模式由V型柱状晶变为等轴柱状晶;柱状晶由多个纳米柱状晶合并形成.
关键词:
靶基距
,
PVD
,
钛合金
