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反应磁控溅射法制备nc-TiN/a-Si3N4薄膜的Young's模量和内耗

李朝升 , 王先平 , 方前锋 , S.Veprek , 李世直

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.019

利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜的Young's模量和内耗随温度的变化关系.在280-300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而Young's模量变化不大.750℃退火后,该内耗峰消失,而模量却从未退火时的430 GPa激增至530 GPa.初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程.

关键词: 纳米TiN/非晶Si3N4薄膜 , 内耗 , Young's模量 , 非稳定界面

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