王岩松
,
张立功
,
徐世峰
,
苗元华
,
范翊
,
王文全
,
安立楠
稀有金属材料与工程
采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关.
关键词:
热裂解
,
非晶陶瓷
,
直流电导率
,
退火
范翊
,
罗劲松
,
王岩松
,
徐世峰
,
褚明辉
,
王文全
,
张立功
,
安立楠
稀有金属材料与工程
用FTIR及微区拉曼光谱等方法,研究了Si-B-C-N有机聚合物在不同热裂解温度下最终形成非晶陶瓷的结构变化.结果表明:从常温到600℃这个区域内,有小分子溢出,伴随着质量的大幅度失去,而在600℃～800℃范围内形成自由碳,表明Si-B-C-N材料已完成从有机到无机的转变,形成非晶陶瓷.
关键词:
Si-B-C-N
,
非晶陶瓷
,
FTIR光谱
,
Raman光谱
唐云
,
王军
,
李文华
,
王浩
,
李效东
,
商遥
稀有金属材料与工程
以三氯化硼、甲基氢二氯硅烷、六甲基二硅氮烷为起始原料,通过共缩合路径合成了SiBNC陶瓷先驱体-聚硼硅氮烷(PBSZ),将PBSZ直接在氮气气氛中高温热解可得SiBNC陶瓷.通过元素分析、XPS、NMR、FTIR和XRD等对所得先驱体及相应陶瓷的组成、结构和高温结晶性能进行了表征.结果表明,先驱体的骨架结构为-Si-N-B-,其中,B、N以硼氮六环形式存在,而C则以Si-CH3形式存在;该先驱体在1000℃下的陶瓷产率为63%,所得SiBNC陶瓷主要由Si3N4、BN、SiC等相组成,具有很好的热稳定性能,在1700℃时能够保持非晶态,在1850℃时部分结晶,且其在1500～1850℃间失重仅为3.8%左右.
关键词:
SiBNC陶瓷
,
聚硼硅氮烷
,
先驱体转化法
,
陶瓷先驱体
,
非晶陶瓷
徐世峰
,
张立功
,
王岩松
,
苗元华
,
范翊
,
罗劲松
,
王文全
,
安立楠
稀有金属材料与工程
报道了由聚合物前驱体衍生得到的非晶SiCN和SiBCN陶瓷的直流电学特性,硼掺杂引起SiCN陶瓷材料室温电导的增加,在不同的温度区域SiCN和SiBCN陶瓷的电导温度关系出现波动起伏,观察到正的和负的电导温度系数,并对这种现象进行了讨论,拟合数据表明电导温度关系符合Arrhenius模型,表明此种材料是迁移率隙中存在很多缺陷局域态的半导体材料,随着温度升高出现了载流子与声子的相互作用过程.
关键词:
非晶陶瓷
,
电导
,
Arrhenius
,
声子散射
唐云
,
王军
,
李效东
,
王浩
,
商遥
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.03.013
以三氯化硼、甲基氢二氯硅烷、六甲基二硅氮烷为起始原料,通过共缩合路径合成了SiBNC陶瓷先驱体-聚硼硅氮烷(PBSZ),将PBSZ在氨气气氛中高温热解可得SiBNC陶瓷.对先驱体及其陶瓷产物的组成、结构和高温结晶性能进行了研究.结果表明,先驱体的骨架结构为-Si-N-B-,其中,B、N以硼氮六环形式存在.1000℃的陶瓷产率为61%,陶瓷中碳含量低于0.5%,具有较好的热稳定性能,能够在1700℃以上保持非晶,在1850℃部分结晶,主要由Si3N4、BN和少量SiC组成,1500℃-1850℃间质量损失约为10%.
关键词:
无机非金属材料
,
SiBNC陶瓷
,
聚硼硅氮烷
,
先驱体转化法
,
陶瓷先驱体
,
非晶陶瓷
