靳锐敏
,
卢景霄
,
王海燕
,
张丽伟
,
王生钊
,
刘萍
,
王红娟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
传统退火炉子
,
光退火
,
晶粒大小
,
拉曼光谱
,
XRD
,
SEM
段良飞
,
杨雯
,
杨培志
,
张力元
,
涂晔
,
李学铭
人工晶体学报
利用射频磁控溅射镀膜技术,采用不同的衬底温度及射频功率在玻璃衬底上制备了非晶硅薄膜;利用X射线衍射仪、拉曼(Raman)散射仪、台阶仪、紫外-可见光-近红外分光光度计及SPSS统计分析方法研究了衬底温度及射频功率对薄膜均匀性及其光学吸收特性的影响.结果表明:衬底温度从150℃增加到200℃,薄膜的生长速率加快、均匀性降低、光学吸收强度增加,从200℃再增加到250℃,薄膜的生长速率降低、均匀性下降、光学吸收强度减弱;射频功率从90W增加到100 W,薄膜的生长速率加快、均匀性增加、光学吸收强度增加,从100 W再增加到110 W,则薄膜的生长速率降低,均匀性降低、光学吸收强度降低;获得了优化的非晶硅薄膜的制备工艺:射频功率100W,衬底温度200℃.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶硅薄膜
,
均匀性
,
光学吸收
李旺
,
朱登华
,
刘石勇
,
刘路
,
王仕鹏
,
黄海燕
,
杨德仁
,
牛新伟
,
杜国平
人工晶体学报
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm ×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能.结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2％,同时并具有相同的导电能力.在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16％和7.82％.
关键词:
柔性衬底
,
低压化学气相沉积
,
B掺杂ZnO
,
非晶硅薄膜
,
太阳能电池
齐晓光
,
雷青松
,
杨瑞霞
,
薛俊明
,
柳建平
人工晶体学报
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5％时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92％的太阳电池.
关键词:
RF-PECVD
,
非晶硅薄膜
,
硅烷浓度
,
HIT太阳电池
张力元
,
段良飞
,
杨雯
,
杨培志
,
邓双
,
涂晔
,
陈小波
人工晶体学报
为探讨其晶化过程及动力学机理,本文采用磁控溅射技术制备Al/Si薄膜,并利用快速光热退火制备微晶硅.通过采用不同的衬底温度及对铝膜进行退火处理,探究其晶化动力学过程.利用拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征.结果表明:退火及衬底加热均能在界面形成非共融的硅铝化合物;延长退火时间能使Al/Si界面充分扩散,达到成核条件.较大的铝晶粒及其择优取向,能有效改善铝诱导晶化效果.
关键词:
非晶硅薄膜
,
磁控溅射
,
铝诱导
,
动力学
冯团辉
,
张宇翔
,
王海燕
,
靳瑞敏
,
卢景霄
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.038
论述了非晶硅薄膜的几种主要再结晶技术,着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景.另外,还讨论了通过Raman光谱求纳晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶度的方法.
关键词:
非晶硅薄膜
,
再结晶技术
,
多晶硅薄膜太阳电池
,
Raman光谱
,
晶粒尺寸
,
结晶度
饶瑞
,
徐重阳
,
王长安
,
赵伯芳
,
周雪梅
,
曾祥斌
功能材料
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺--金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温(＜600℃)晶化.利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜.
关键词:
金属诱导
,
非晶硅薄膜
,
低温晶化
,
多晶硅薄膜
靳瑞敏
,
蔡志端
,
苍利民
,
阎韬
,
徐建军
,
栗书增
人工晶体学报
本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析.
关键词:
非晶硅薄膜
,
二次晶化
,
多晶硅薄膜
,
结晶团现象
,
晶化机理
冯团辉
,
卢景霄
,
张宇翔
,
郜小勇
,
杨仕娥
,
李瑞
,
靳锐敏
,
王海燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034
为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.
关键词:
快速热退火
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
晶粒尺寸
,
暗电导率
靳瑞敏
,
王玉仓
,
陈兰莉
,
罗鹏辉
,
郭新峰
,
卢景霄
材料导报
通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
二次晶化
,
拉曼光谱
,
扫描电镜
