王守坤
,
袁剑峰
,
郭会斌
,
郭总杰
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0930
本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。
关键词:
薄膜晶体管
,
化学气相沉积
,
栅极绝缘层
,
有源层
,
非晶硅膜
,
氧化铟锡
,
电学特性
王守坤
,
袁剑峰
,
郭总杰
,
郭会斌
,
刘杰
,
郑云友
,
贠向南
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0801
对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。
关键词:
薄膜晶体管
,
加强型阴极耦合等离子体
,
有源层
,
非晶硅膜
,
均一性
