剧永波
,
陈建军
,
张宸铭
,
简月圆
,
熊正平
,
张龙泉
,
赵东升
,
罗少先
,
刘昊
,
孙宏伟
,
白贺鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173203.0190
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析.经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素.在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善.光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力.
关键词:
粘附力
,
光刻胶
,
钼
,
钛
,
氧化铟锡
,
多晶硅
,
非晶硅
,
氮化硅
季鑫
,
杨德仁
,
答建成
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.003
首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点.其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池在组织结构、缺陷方面的研究现状.最后,对硅基太阳能电池的机械、电学、光学以及光电性能等方面的研究进展做了论述.
关键词:
硅基单结太阳能电池
,
制备方法
,
单晶硅
,
多晶硅
,
非晶硅
,
缺陷
,
力学性能
邓书康
,
董国俊
,
杨晓坤
,
刘虹霞
,
侯德东
,
李明
人工晶体学报
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.
关键词:
多晶硅薄膜
,
电子束蒸发
,
非晶硅
,
Ge诱导晶化
邱美艳
,
王宗畔
功能材料与器件学报
采用直流磁控溅射设备制备ZnO/Al复合非晶硅电池背电极,在实际生产线上研究对比了使用ZnO/Al复合背电极与Al背电极的非晶硅电池性能,实验证明ZnO/Al复合背电极能提高太阳电池的短路电流和最大功率,并通过扩展实验验证了使用ZnO/Al复合背电极电池工艺稳定性较好,适合大规模非晶硅电池生产.
关键词:
非晶硅
,
背电极
,
短路电流
,
最大功率
赵晓锋
,
温殿忠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.031
采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型<100>晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜.采用x射线衍射仪(XRD)、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为<111>晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20～40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱.
关键词:
PECVD
,
纳米晶粒
,
非晶硅
,
多晶硅
,
高温退火
龚洪勇
,
黄海宾
,
周浪
人工晶体学报
(001)晶体硅金字塔绒面结构圆化有提高光反射率与提高非晶硅薄膜钝化效果的相互矛盾的双重作用,定量了解它们对优化非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的绒面结构圆化程度很有必要.本文以表面粗糙度Rz相对下降百分数定量表征晶体硅衬底表面金字塔绒面结构圆化程度DR,研究了DR值对等离子体化学气相沉积氢化本征非晶硅薄膜钝化效果的改善作用,发现除圆化初期效果异常高以外,二者之间基本呈线性正比关系;相对改善作用随钝化膜变薄而显著提高.同时测定了DR值对金字塔绒面光反射率的影响,发现反射率基本随DR值线性增大.典型结果为:6％绒面结构圆化程度下,金字塔绒面的光反射率绝对值提高3％;其表面7 nm厚的氢化本征非晶硅薄膜可达到使硅片少数载流子寿命相对未圆化绒面样品提高260％.
关键词:
晶体硅
,
绒面
,
非晶硅
,
钝化
,
圆化
王瑞春
,
沈鸽
,
何智兵
,
赵高凌
,
张溪文
,
翁文剑
,
韩高荣
,
杜丕一
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.01.024
本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法,综述了制备金属/非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性.
关键词:
金属诱导
,
非晶硅
,
多晶硅
,
薄膜
马铁英
,
李铁
,
周萍
,
刘文平
,
王跃林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.014
本文对PECVD制备的红外热敏材料掺磷非晶硅薄膜的两个关键热电参数-红外吸收系数和电阻温度系数-采用红外透射谱、拉曼谱和电阻率测量进行了深入的研究.实验结果表明,对样品进行退火30 min后,薄膜结构可以达到稳定;随着退火温度的增加,样品的红外透射率下降;当退火温度达到700℃时,薄膜完全晶化;与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度和退火温度的增加而减小.根据Lu的模型,对这些现象进行了解释并给出了制备和退火的优化条件.
关键词:
非晶硅
,
退火
,
红外
,
电阻温度系数
王刚
,
李平
,
李威
,
张国俊
,
谢小东
,
姜晶
材料导报
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料.
关键词:
反熔丝
,
氧化物-氮化物-氧化物
,
非晶硅
,
栅氧化层
,
反熔丝PROM
,
反熔丝FPGA
