王灿
,
陈宁
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刘英伟
,
赵磊
,
薛大鹏
,
杜建华
,
郭炜
,
王路
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0276
氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用.在高厚度(尤其是大于70 nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度.本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值.
关键词:
薄膜晶体管
,
非晶氧化铟锡
,
残留
,
成膜
,
刻蚀
