崔强
,
董树荣
,
刘俊杰
,
韩雁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.036
摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构.这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极.本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局.这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实.测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试.
关键词:
静电放电
,
片上系统气体传感器
,
微机电系统
,
晶闸管
,
回滞曲线
高文宝
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.022
为了防止静电放电(ESD)引起静电击穿造成TFT-LCD不良,通过实际测试和PSpice模拟讨论了TFT-LCD在设计过程中,ESD回路设计的规则和容限,通过放电模型的建立,得出显示器分辨率的变化与ESD回路中TFT 宽长比(W/L)的关系,确立了静电防止回路的设计方向、规则.模拟分析结果表明:扫描门电极(Horizontal)在分辨率为H1080时ESD W/L设计为38.9/7.4 μm ,在分辨率为H1200时ESD W/L设计为35.0/7.4 μm,满足模拟条件;数据线电极(Vertical)在分辨率为V1600时ESD W/L设计为14.7/7.4 μm,在分辨率为V1920时ESD W/L设计为12.2/7.4 μm,满足模拟条件.同时,按照此结果,可以得出ESD TFT器件在信号电压±25 V变动时,电流值大于±9.5 μA;而TFT LCD实际工作电压(＜±10 V)远小于模拟工作电压(＜±25 V),实际工作电流值为3～5 μA,也小于此电流值,因此验证此模拟结论可行.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
静电放电
,
模拟
,
分辨率
李卿硕
,
吴倩
,
王莎
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0711
研究了液晶模组结构与静电放电(ESD)路径间的关系,当液晶模组受ESD冲击电荷无法顺利导出,抗ESD能力仅有2 kV的Driver IC便成为最容易损坏的器件,IC失效会导致液晶模组无法正常工作.实验证明,当在ESD放电路径上特定位置增加静电保护装置,可将瞬间的电荷浪涌导入大地以提高液晶模组抗ESD的能力.论文探讨了一种在TFT基板增加静电环设计的方法可以代替FPC增加TVS管的现有模式.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
静电放电
,
静电保护环
,
瞬变电压抑制二极管
张小祥
,
颉芳霞
,
刘正
,
郭总杰
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0387
通过对TFT-LCD 制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善 GOA单元不良的方法.分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化；沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄.采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5．4％降低到0.04％以下.GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13．4％降低到1．22％以下.
关键词:
GOA
,
静电放电
,
沟道桥接
,
沟道开裂
,
显影效应
