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季振国 , 杨成兴 , 刘坤 , 叶志镇
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.04.007
本文利用计算机程序简单模拟了圆盘状加热器和圆筒状加热器的热场分布,研究了热场对雾化裂解CVD法生长的半导体薄膜厚度均匀性的影响,并采用雾化裂解CVD技术制备了高度c轴取向的ZnO薄膜.实验结果表明利用圆筒形加热器及对衬底位置的控制可以在较小的加热器内获得相对尺寸大、厚度均匀性较好ZnO薄膜.
关键词: 薄膜 , 雾化裂解 , 热场 , 膜厚均匀性
